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[会议论文] 作者：沈鸿烈,沈勤 我,
来源：97全国荷电粒子源粒子束学术会议 年份：1997
研究了超高真空电子束蒸发法制备的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治结构中巨磁阻效应及其温度特性。结果表明：通过优化Ｃｒ过渡层厚度，可获得室温下饱和磁场小于３００Ｏｅ，巨磁阻效应值达７．５℅的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治结构。经过２００℃，２０分钟真......
[会议论文] 作者：李铁,沈鸿烈,沈勤我,邹世昌,
来源：第十届全国磁学和磁性材料会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：倪如山,王连卫,沈勤我,林成鲁,
来源：电子显微学报 年份：1996
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光......
[期刊论文] 作者：祝向荣,沈鸿烈,沈勤我,邹世昌,TsukamotoKoich,
来源：无机材料学报 年份：1999
利用固相反应法制备了多晶立方结构的Ｌａ－Ｐｂ－Ｍｎ－Ｏ体材料，材料的铁磁相变温度ＴＣ为２５７Ｋ，其金属－半导体转变温度ＴＰ为２５１Ｋ，外加磁场分别为５Ｔ和１３Ｔ时，材料的巨磁电阻（ＧＭＲ）峰值分别达到了７２％和８５％，在７７Ｋ￣室温的温度范围内，材料都具有ＧＭＲ效......
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁,
来源：半导体学报 年份：2003
采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2薄膜．X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示：ZrO2薄膜成分均一，为完全氧化的ZrO2，其中Zr：O=...
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,沈勤我,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形...
[期刊论文] 作者：谢欣云,万青,林青,沈勤我,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米 Si锥阵列. 采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅...
[期刊论文] 作者：祝向荣,沈鸿烈,沈勤我,邹世昌,Tsukamoto Koic,
来源：无机材料学报 年份：1999
利用固相反应法制备了多晶立方结构的La-Pb-Mn-O体材料.材料的铁磁相变温度TC为257K,其金属-半导体转变温度Tp为251K.外加磁场分别为5T和13T时,材料的巨磁电阻(GMR)峰值分别...
[期刊论文] 作者：李冠雄,沈鸿烈,沈勤我,李铁,邹世昌,,
来源：中国科学(E辑) 年份：2000
用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜.研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到0....
[会议论文] 作者：祝向荣,沈鸿烈,沈勤我,李铁,邹世昌,
来源：第十届全国磁学和磁性材料会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：沈鸿烈,李冠雄,沈勤我,李铁,邹世昌,
来源：第十届全国磁学和磁性材料会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：李冠雄,沈鸿烈,沈勤我,李铁,邹世昌,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时，三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中，在其......
[会议论文] 作者：安正华,张苗,沈勤我,林成鲁,李开成,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
SiGe-OI新材料的制备具有重要的意义.采用键合技术制备SiGe-OI材料的技术现在还处于探索阶段.本文通过研究SiGe/Si异质结的注氢行为来讨论通过键合来转移SiGe薄膜的可能性,得...
[期刊论文] 作者：李冠雄,沈鸿烈,沈勤我,李铁,邹世昌,
来源：Science in China(Series E:Technological Sciences) 年份：2000
The Co/Cu/Co sandwiches with a semiconductor Si buffer layer were prepared by high vacuum electron-beam evaporation. The influence of the Si buffer layer with...
[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,高剑侠,沈勤我,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化后处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１００００Ｃ３０分钟氮......
[期刊论文] 作者：潘强,沈鸿烈,祝向荣,李铁,沈勤我,邹世昌,
来源：功能材料与器件学报 年份：2001
研究了覆盖层为铁磁性的Fe和非铁磁性的Ti、Cu的Co/Cu/Co三明治在室温和低温下的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时,Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值没有明显变化，...
[期刊论文] 作者：潘强,沈鸿烈,李铁,祝向荣,沈勤我,邹世昌,
来源：功能材料 年份：2001
用超高真空电子束蒸发方法成功制备了以不同厚度Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品,与以Cr为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品比较,样品的矫顽力大大减小,因而样品...
[期刊论文] 作者：沈鸿烈,李铁,沈勤我,李冠雄,潘强,邹世昌,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ 三明治膜，研究了衬底晶向、过渡层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响；结合原子力显微镜表面形貌观察，探讨了三......
[期刊论文] 作者：祝向荣,沈鸿烈,李铁,李冠雄,沈勤我,邹世昌,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
利用高温烧结法制备了多晶立方结构的Ｌａ０．６７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ体材料。材料的居里温度（Ｔｃ）为２８０Ｋ，其金属－半导体转变温度（Ｔｐ）为２７０Ｋ，接近于Ｔｃ。外加磁场下的磁电阻（ＭＲ）峰值温度与Ｔｐ十分接近。外加磁场为０．６Ｔ和５Ｔ时，材料的ＭＲ峰置分别过到......
[期刊论文] 作者：万青,王连卫,邢朔,章宁琳,沈勤我,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉...
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