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[期刊论文] 作者：沈能珏,,
来源：微电子学 年份：1973
由于硅的两性行为及它对氧高度的亲合性,所以Ⅲ—Ⅴ族化合物的硅沾污是一个相当严重的问题。广泛使用于砷化镓（GaAs）和磷化镓（GaP）系统的熔凝石英是硅的主要来源。大多数开流系统......
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体杂志 年份：1995
本文综述了近年来砷化镓材料质量表征技术的新进展，包括半绝缘砷化镓体单晶和外延薄膜材料两个方面。着重指出了材料表征技术时材料研制和器件应用的重要作用。...
[期刊论文] 作者：沈能珏,,
来源：微电子学 年份：2004
本文提出一种形成硅—氧对的模型来解释在硅、SiO_2、以及氧存在下生长的砷化镓中的各种反常现象。假设在镓格点上的硅原子与间隙氧原子形成络合物,它作为受主,其能级是低于...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1987
难熔金属氮化物,如TaN、TiN、HfN等,由于其熔点高,硬度大,摩擦系数小等特点(见表1),在机械工业中早已得到利用,如作为高速钢工具的表面镀层,以增强钻具、刀具的硬度和切削能...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1987
日立公司最近研究出一种制备均匀半绝缘GaAs单晶的新方法.方法是在一般LEC拉晶装置的坩埚上方装一个石英储As器,储As器外绕辅助加热器,加热器和储As器均可上、下移动将大约1...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1987
最近,日本光电子联合研究室研究出一种新工艺,可使InP单晶成本降低90%,方法还能使晶体中杂质减少90%,完整性好.方法的特点是能从单质InP直接合成并生长成InP单晶,无需B_2O_3...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1986
据日本孟山都公司报道,该公司制备3时无位错单晶炉及单晶直径自动控制技术加以改进,采用垂直外加磁场全液封工艺,在不增加掺In量的前提下,实现了4时无位错GaAs单晶的生长.测...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1989
美国AT＆T倍尔实验室的科学家们最近创造出了一类新颖的“微型”半导体材料,此类材料可用于通讯、计算机及光波导.新材料是由100～10.000个原子以一定规律或结晶形式排列的簇团,...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1985
鉴于我国半导体事业的发展日新月异,急需介绍和引进国外半导体新技术.以资借鉴,为此,从1985年第5期起,本刊开设“国外技术之窗”新栏目.该栏目将刊登国外有关半导休技术的新...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1980
一、Mo-CVD工艺发展简史气相外延制备Ⅲ-V族化合物最常用的方法是氯化物输运系统.自65年以来,国内外对此系统已进行了大量研究,当前已成功地用于制备各种微波、光电等器件所...
[期刊论文] 作者：沈能珏,
来源：半导体技术 年份：1986
据美国航天公司电子研究室报道,他们最近研制出一种价格低廉、加热均匀性优良、适用于MOCVD系统的新型加热器——石英包封加热器,其结构示于图1、2将这种加热器用于MOCVD系统...
[期刊论文] 作者：张臣,沈能珏,
来源：新材料产业 年份：2003
本栏目针对新材料,从科研、应用、产业化、市场、经营等角度论述新材料产业的现状和趋势。欢迎各界人士参与讨论,共商新材料产业发展大计。...
[期刊论文] 作者：徐稼迟,沈能珏,
来源：低温与特气 年份：1985
一、引言金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料,采用与硅外延淀积相类似...
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