搜索筛选:
搜索耗时0.9350秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 38 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：狄增峰,,
来源： 年份：2006
随着芯片制造业遵循摩尔定律向大尺寸晶圆450mm、光刻线宽nm级、高精度、高效率、低成本发展，集成电路也逐步从微电子时代发展到微纳米电子时代，现有的体硅材料和工艺正接近它......
[会议论文] 作者：狄增峰,
来源：无机非金属材料高层论坛暨第7届无机非金属材料专题——先进电子材料研讨会 年份：2015
...
[期刊论文] 作者：齐功民,狄增峰,任伟,
来源：上海大学学报：自然科学版 年份：2018
局域表面等离子体共振（local surface plasmon resonance,LSPR）因其对光独特的响应特性而在纳米光电子领域成为研究的重点.作为重要的微电子材料,锗在近红外波段的光电响应较弱...
[会议论文] 作者：狄增峰,张苗,谢晓明,王曦,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
...
[会议论文] 作者：姜海涛,狄增峰,薛忠营,张苗,王曦,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
为了深入了解Ge经氢离子注入后的剥离特性，实验研究了Ge经注入剂量分别为1×1016/cm2、3×1016/cm2和5×1016/cm2的氢离子注入，并经过系列退火处理，并详细研究了氢离子注入...
[会议论文] 作者：狄增峰,康琳,杨森祖,冯一军,吴培亨,
来源：第六届全国超导电子器件学术会议 年份：2001
由YSZ和CeO作为双缓冲层,已经能够在Si衬底上长出高质量的YBCO超导薄膜,但由于热膨胀系数和晶格常数的不同,薄膜之间的应力难以消除,所以难以做成较厚的YBCO薄膜,满足多方面...
[期刊论文] 作者：郭庆磊,张苗,狄增峰,黄高山,梅永丰,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2016
无机柔性光电子技术由于具有柔性、便携、大面积等优点而受到科研人员的广泛关注,并取得了长足的进展.制备无机柔性光电子器件的技术关键是将传统刚性衬底上的纳米“构筑单元...
[期刊论文] 作者：史晓华,王刚,郭庆磊,张苗,狄增峰,,
来源：材料导报 年份：2015
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理,研究石墨烯与Ge衬底之间的界面结构.计算结果表明,在3种衬底Ge（111）、Ge（100）和Ge（110）上界面结合能有相同的规律,均在平衡距离为3.3A时获......
[期刊论文] 作者：母志强,薛忠营,陈达,狄增峰,张苗,,
来源：半导体技术 年份：2013
基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变...
[期刊论文] 作者：赵宁,李忆秋,张静娴,狄增峰,郭向欣,,
来源：储能科学与技术 年份：2016
与采用液体电解液的传统二次锂离子电池相比,固态二次锂电池在高能量密度和安全性方面具有显著的潜在优势,近年来成为国内外的研究热点。作为固态二次锂电池的核心组成,固态...
[期刊论文] 作者：李星, 汪洋, 胥博瑞, 田子傲, 狄增峰, 梅永丰,,
来源：科学通报 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者：陈达,刘林杰,薛忠营,魏星,狄增峰,张苗,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上，采用H离子注入，随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明，1)超薄SiGe层对H离子具有吸附的作用；2)随着退......
[期刊论文] 作者：文娇,刘畅,俞文杰,张波,薛忠营,狄增峰,闵嘉华,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2014
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度...
[会议论文] 作者：姚泉舟,张帅,郑晓虎,高磊,狄增峰,马天宝,李群仰,
来源：第十四届全国物理力学学术会议 年份：2016
...
[会议论文] 作者：刘林杰,狄增峰,薛忠营,陈达,姜海涛,叶林,张苗,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对在Si衬底上利用减压化学沉积法外延生长的180nm厚的Si0.75Ge0.25进行He+离子注入和快速热退火.X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)测试结果表明，SiGe层中应力得到释放。原子力显微镜(AFM)结果表明，SiGe层的表面粗糙度无明显变化.透射电子显微镜(TEM)结果显示顶层锗硅......
[期刊论文] 作者：骆苏华, 刘卫丽, 张苗, 狄增峰, 王石冶, 宋志棠, 孙,
来源：微电子学 年份：2005
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大.SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性.与CMOS工艺的兼容...
[会议论文] 作者：卞剑涛,薛忠营,陈达,刘林杰,姜海涛,狄增峰,张苗,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层...
,Growth and fabrication of semi-polar InGaN/GaN multi-quantum well light-emitting diodes on microstr
[期刊论文] 作者：陈龙,裴嘉鼎,史达特,李成,张建明,俞文杰,狄增峰,王曦,
来源：中国物理B（英文版） 年份：
...
[会议论文] 作者：狄增峰;张苗;吴雁军;安正华;朱鸣;刘卫丽;林成鲁;,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
超薄SOI的顶层硅和中间氧化层之间所形成的垂直键有足够的强度,而非晶氧化层又可以使顶层Si在其上滑移,所以SOI常常用来作为"容忍型衬氏".薄膜中应力使SiGe材料的能谷发生分...
[期刊论文] 作者：陆子同,母志强,薛忠营,刘林杰,陈达,狄增峰,张苗,,
来源：半导体技术 年份：2014
基于弛豫锗硅衬底上生长双轴应变硅技术、离子注入工艺以及选择性腐蚀方法,制备了8英寸(1英寸=2.54 cm)双轴张应变的绝缘体上应变硅(sSOI)材料。利用喇曼光谱分析、缺陷优先...
相关搜索：
