搜索筛选:
搜索耗时1.9270秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 21 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：王元玮,
来源：好家长 年份：2018
随着信息科技和网络技术的不断发展,我们已经全面进入了网络时代。网络时代中人们的一切行为都会受到影响并发生改变,就文学的经典阅读与体验来说,如何顺应时代的发展,利用网...
[期刊论文] 作者：王元玮,,
来源：青年时代 年份：2018
本文通过对社会保障体系信息化建设进行了研究,发现了在建设社会保障体系信息化时存在缺乏长远计划、网络安全威胁着社保信息化建设工作、频繁更改的办理社保业务的流程等问...
[期刊论文] 作者：王元玮,于朴,
来源：仪表技术与传感器 年份：1990
功能复合材料即铟锑—镍锑(InSb—NiSb)是一种高性能磁阻材料。当外加磁场变化时,这种材料本身的电阻值发生数倍变化。利用这一性质,它可以制成多种精密的传感器和电子器件。...
[期刊论文] 作者：王元玮,田跃,
来源：北京科技大学学报 年份：1997
利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁迭射制得的ＩｎＳｂ薄膜进行热处理，Ｘ射线衍和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为ＩｎＳｂ，Ｉｎ，Ｓｂ各相的混合物；重结晶后，基本为ＩｎＳｂ单相，ＩｎＳｂ晶粒呈规则状外形长大......
[期刊论文] 作者：和文国,王元玮,
来源：北京科技大学学报 年份：1997
提出了一种克服外界缓变物理量（如温度）对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法，与传统的电压直接比较法相比，该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势，与外界缓变物......
[期刊论文] 作者：王元玮, 王啸楠,,
来源：黑河学院学报 年份：2020
以计算机专业实践类课程为例,按照课程"以能力为本位、以编程实践为主线"的总体设计要求,结合在线学习平台,解决实践类课程过程化考核片面性与主观性问题,实现实践类课程过程...
[期刊论文] 作者：王元玮,萧宜雍,
来源：功能材料 年份：1995
研究了单向结晶速度V对InSb-NiSb共晶磁致电阻性能Rb/Ro的影响。结果发现不同V，其Rb/Ro也不同。并且在V－Rb/Ro关系中存在着一个Rb/Ro最大值。这最大值可由半导体的物理磁阻效应...
[期刊论文] 作者：萧宜雍,王元玮,
来源：浙江大学学报(自然科学版) 年份：1987
炉子温度梯度G=125±5°C/cm,不同单向凝固速度(R)制备的掺Te 6×10~(16)/cm~3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,测试它们在不同温度(T),不同磁感(B)的电阻值时,发现:1.在R—...
[期刊论文] 作者：萧宜雍,王元玮,
来源：浙江大学学报 年份：1987
用5N In,5N或6N Sb,光谱纯Ni,掺入5N Te 6×10~(16)/cm~3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,G=125±5℃/cm,不同凝固速度(R)的试样,测试它们垂直和顺NiSb纤维方向的电导率以及...
[期刊论文] 作者：王元玮,肖宜雍,
来源：浙江大学学报 年份：1985
本文用垂直的Bridgman—Stockbarger方法,研究了在大温度梯度下,InSb-NiSb共晶单向凝固速度R与其NiSb纤维间距λ的关系,得出结果为λ~2R=0.76×10~(10)Cm~3sec。符合Tiller和...
[期刊论文] 作者：和文国,田跃,王元玮,
来源：北京科技大学学报 年份：1997
提出了一种克服外界缓变物理量（如温度）对半导体型脉冲传感器影响的电压跟随比较法．与传统的电压直接比较法相比，该方法只跟随传感器触发的正弦波原始信号的变化趋势，与外界缓变物......
[会议论文] 作者：田跃,王元玮,裴励,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：王元玮,于朴,田跃,
来源：仪表技术与传感器 年份：1990
功能复合材料即铟锑—镍锑(InSb—NiSb)是一种高性能磁阻材料。当外加磁场变化时,这种材料本身的电阻值发生数倍变化。利用这一性质,它可以制成多种精密的传感器和电子器件。...
[期刊论文] 作者：萧宜雍,李乔,王元玮,
来源：浙江大学学报：工学版 年份：1987
用5N In,5N或6N Sb,光谱纯Ni,掺入5N Te 6×1016/cm3和不掺Te的InSb-NiSb共晶复合材料,G=125±5℃/cm,不同凝固速度（R）的试样,测试它们垂直和顺NiSb纤维方向的电导率以...
[会议论文] 作者：萧宜雍,李乔,王元玮,
来源：全国首届材料科学与工程学术年会 年份：1986
通过试验观察了掺碲6×10[**]/cm与不掺碲的ZnSb—NiSb共晶复合材料，在温度梯度G＝125±5℃/cm，不同凝固速度（R＝0．041～1．0mm/min）的显微组织。结果表明，锭棒中间的大部分区域没有出现......
[会议论文] 作者：王元玮,田跃,徐立平,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：萧宜雍,李乔,王元玮,
来源：稀有金属 年份：1986
通过试验观察了掺碲6×10~(16)cm~3与不掺碲的InSb-NiSb共晶复合材料在温度梯度G=125±5℃/cm和不同凝固速度(R=0.041～1.0mm/min)的显微组织。结果表明锭棒中间的大部分区域没...
[期刊论文] 作者：田跃,和文国,王元玮,裴励,
来源：传感器世界 年份：1999
本文介绍了利用电阻值随外界磁场变化而改变的磁敏电阻作为敏感元件，采用自重摆驱动永磁体转动，使永磁体与两个差动联结的ＭＲ元件相对覆盖面积变化，即磁通量改变，导致输出电压信号的......
[期刊论文] 作者：田跃,和文国,王元玮,裴励,
来源：传感器世界 年份：1996
磁敏电阻制备技术及相应传感器的开发与应用是磁敏感技术近二三十年来最蓬勃发展并实现产业化的新兴分支.它依据物理学磁致电阻效应,将磁场的变化无接触转化为材料的电阻率变...
[期刊论文] 作者：王元玮,田跃,汪亮明,和文国,
来源：北京科技大学学报 年份：1997
利用真空下氩气保护液相重结晶的方法，对热蒸镀和磁控贱射制得的Insb薄膜进行热处理．X射线衍射和组织分析的结果表明：热处理前薄膜为Insb，In，Sb各相的混合物；重结晶后，基本为InSb单......
相关搜索：
