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[期刊论文] 作者：王园明,,
来源：电信快报 年份：2012
主要阐述CMMB（中国移动多媒体广播）系统和GSM（全球移动通讯系统）的组网情况及主要干扰类型，分析两个系统共址情况下系统之间的主要干扰情况，对各种干扰类型进行详细分析，提出系统之......
[学位论文] 作者：王园明,
来源：南开大学 年份：2015
母乳低聚糖(HMO)是一类结构多样化的低聚糖，它具有广泛的生物活性。HMO在母乳中含量非常丰富，但在牛奶和婴儿等乳制品中的含量极微甚至不存在。目前的研究表明，HMO除了能够为机......
[会议论文] 作者：王园明,陈伟,
来源：第十届全国蒙特卡罗方法及其应用学术会议 年份：2009
静态存储器的空间单粒子翻转率，是器件能否在空间使用的重要指标。本文建立质子单粒子翻转截面理论计算模型，基于蒙卡软件Geant4，计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有......
[会议论文] 作者：王园明,陈伟,
来源：第十届全国蒙特卡罗方法及其应用学术会议 年份：2009
基于蒙卡软件Geant4，选择和添加原子碰撞物理过程，设置模型中的参数，模拟输运粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算1Mev质子不同厚度二氧化硅层的空位分布、空位总数，以及不同......
[期刊论文] 作者：王园明,栗永军,,
来源：电信快报 年份：2010
根据用户的生活习惯和数据业务的行为分析，绝大多数的3G业务量将会发生在室内，室内业务将是3G竞争的主要战场。文章从介绍室内分布系统的发展、室内信号转播的理论、天线口功率......
[会议论文] 作者：王园明,郭晓强,陈伟,罗尹虹,
来源：第十一届全国蒙特卡罗方法及其应用学术交流会 年份：2012
本文基于蒙特卡罗软件Geant4，建立质子和中子在硅中的非电离能量阻止本领计算方法。在此方法中，描述了原子间库仑散射的物理过程，模拟带电粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射......
[期刊论文] 作者：王燕萍,罗尹虹,张科营,王园明,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
建立了GaNHEMT器件（氮化镓高电子迁移率晶体管）中子原位测试技术和辐照效应实验方法，开展了GaNHEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究，重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能......
[会议论文] 作者：赵雯,郭红霞,张凤祁,王燕萍,肖尧,王园明,
来源：第十届全国“三核”论坛暨江西省核学术年会 年份：2013
通过三维数值模拟,深入分析了P+ Plug区的深度、源区掺杂浓度、漏极偏置、入射离子的LET值、入射角度和入射位置对功率UMOSFET (U-Shape Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,槽栅型场效应晶体管)的SEB (Single Event Burnout,单粒子烧毁)敏感性......
[期刊论文] 作者：罗尹虹,郭红霞,陈伟,姚志斌,张凤祁,王园明,,
来源：微电子学 年份：2010
结合器件版图,通过对2 k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值...
[期刊论文] 作者：王园明, 陈伟, 郭红霞, 何宝平, 罗尹虹, 姚志斌, 张,
来源：原子能科学技术 年份：2004
研究建立了质子单粒子翻转截面计算方法。基于蒙特卡罗软件Geant4,计算分析了不同能量质子核反应产生二次粒子对有效体积带来的影响,确定了有效体积大小。计算了静态随机存取...
[期刊论文] 作者：金晓明,王园明,杨善潮,马强,刘岩,林东生,陈伟,
来源：原子能科学技术 年份：2012
中子辐射效应是半导体器件在辐射环境中损伤的重要因素。本文建立了中子在半导体材料中的电离和非电离能量沉积、原子空位密度的Geant4模拟方法。电离能量沉积可用于分析电离...
[期刊论文] 作者：郭红霞,丁李利,肖尧,张凤祁,罗尹虹,赵雯,王园明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
The pattern dependence in synergistic effects was studied in a 0.18 μm static random access memory(SRAM) circuit.Experiments were performed under two SEU test...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张凤祁,郭红霞,肖尧,赵雯,丁李利,王园明,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Single event multiple-cell upsets(MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MC...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,张凤祁,郭红霞,郭晓强,赵雯,丁李利,王园明,,
来源：物理学报 年份：2015
器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM（static random access memory,静态随机存储器）开展了中高能质子入射角度对单...
[期刊论文] 作者：王燕萍,罗尹虹,王伟,张科营,郭红霞,郭晓强,王园明,,
来源：Chinese Physics C 年份：2013
The testing techniques and experimental methods of the ~(60)Co gamma irradiation effect on AlGaN/AlN/ GaN high electron mobility transistors (HEMTs) are establi...
[期刊论文] 作者：赵雯,郭红霞,罗尹虹,郭晓强,张凤祁,张科营,王园明,,
来源：核技术 年份：2011
对130 nm工艺电荷泵锁相环(PLL,phase-locked loop)开展单粒子瞬态(SET,single event transient)的电路级仿真,根据输出端信号的最大错误脉冲和最大相移寻找SET最敏感节点。...
[期刊论文] 作者：王园明, 陈伟, 郭红霞, 何宝平, 罗尹虹, 姚志斌, 张凤祁,
来源：原子能科学技术 年份：2010
...
[期刊论文] 作者：郭红霞,罗尹虹,姚志斌,张凤祁,张科营,何宝平,王园明,
来源：原子能科学技术 年份：2010
利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸（0.35～0.13μm）CMOS工艺、不同集成度（1M、4M、8M、16M）静态随机存储器（SRAM）单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）实验研究,给出......
[期刊论文] 作者：张科营,郭红霞,罗尹虹,何宝平,姚志斌,张凤祁,王园明,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的M0s晶体管，计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器（sRAM）单粒子翻转的临界电荷Qcrit...
[期刊论文] 作者：罗尹虹,姚志斌,张凤祁,郭红霞,张科营,王园明,何宝平,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2011
针对目前国内存储器辐照效应研究大多集中于功能测试,所测参数少的现状,提出了浮栅型存储器阈值电压的测试方法,并对浮栅型存储器EPROM初步开展了脉冲总剂量对器件阈值电压影...
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