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[期刊论文] 作者：曾庆城,王水风,罗房芳,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：1993
显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe+·B-离子“对”在Si...
[会议论文] 作者：曾庆城,王水风,宋加涛,
来源：中国物理学会第五届全国表面与界面物理学术会议 年份：1988
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[期刊论文] 作者：曾庆城,王水风,罗房芳,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1993
显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B~+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe~+·B~-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.The re...
[期刊论文] 作者：曾庆城,王水风,宋加涛,张燕群,谭卫,
来源：南昌大学学报(理科版) 年份：1989
用红外吸收光谱法对硅器件晶片的金属杂质玷污问题,热氧化SiO2膜的质量状况和注氮SOI样品的结构进行分析,得到了有助于优选晶片及其与工艺有关的信息。检测方法是非破坏性的,...
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