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[期刊论文] 作者：田慧良,王丽明,
来源：半导体光电 年份：2004
本文讨论双异质结激光器工艺中的二个问题: 一、管芯烧结中的问题和不同形状的热沉对器件性能的影响。二、器件热处理前后的比较。如何把DH激光器烧结得好,这不仅直接关系着...
[期刊论文] 作者：王守武,田慧良,
来源：电子学报 年份：1979
一种PNPN型异质结负阻激光器业已研制成功,它的具体结构是n·GaAs/N·Ga_(1-x)Al_xAs/p·GaAs/p·Ga_(1-y)Al_yAs/P·GaAs/n·GaAs/P·Ga_(1-z)Al_zAs;其中,x=0.2～0.3,y≤0.20...
[会议论文] 作者：王圩,张静媛,田慧良,
来源：全国第三次光纤通信学术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：王圩,张静媛,田慧良,器件工艺组,
来源：半导体学报 年份：1984
用两次液相外延的方法制备了 1.55μm掩埋条型 InGaAsP/InP双异质结激光器.室温下的阈电流低达55mA.在接近3格阈值时,器件的光强-电流特性仍保持良好的线性度.直到1.6倍阈值...
[期刊论文] 作者：张静媛,王圩,汪孝杰,田慧良,
来源：高技术通讯 年份：1996
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于......
[期刊论文] 作者：高季林,石志文,田慧良,余金中,鞠静丽,
来源：半导体光电 年份：1981
用瞬态电容谱技术(DLTS)能探测到10~(-3)×|N_D—N_A|的深能级中心。能量范围从0.2ev到禁带中心。实验中测量了宽接触,条形以及老化各阶段的AlGaAsDH结构。给出了各样品典型...
[期刊论文] 作者：王书荣,王圩,朱洪亮,张瑞英,赵玲娟,周帆,田慧良,
来源：中国激光 年份：2004
采用三元InGaAs体材料为有源区,通过直接在InGaAs体材料中引入020%张应变来加强TM模的增益,研制了一种适合于作波长变换器的偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。在低压金属有机...
[期刊论文] 作者：许国阳,颜学进,朱洪亮,段俐宏,周帆,田慧良,白云霞,王圩,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电阻率为２．０×１０８Ω·ｃｍ ，击穿电场４×１０４Ｖ／ｃｍ ．用半绝缘Ｆｅ－ＩｎＰ掩埋１．５５μｍ......
[期刊论文] 作者：赵玲娟,朱洪亮,张静媛,周帆,王宝军,边静,王鲁峰,田慧良,,
来源：半导体学报 年份：2005
与折射率耦合分布的分布反馈（DFB）激光器相比，不管界面反射率是多少，增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作，而且具有高速、低啁啾的特性．本课题组用AlGaInAs／InP材料，采用增益耦合D......
[期刊论文] 作者：赵玲娟,朱洪亮,张静媛,周帆,王宝军,边静,王鲁峰,田慧良,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：王书荣,王圩,刘志宏,朱洪亮,张瑞英,丁颖,赵玲娟,周帆,田慧良,
来源：半导体学报 年份：2005
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100~250mA的工作电流范围内,获得了大于 70nm的 3dB光...
[会议论文] 作者：赵玲娟,朱洪亮,张静媛,周帆,王宝军,边静,王鲁峰,田慧良,王圩,
来源：全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO2003) 年份：2003
与折射率耦合分布分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定的单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本文介绍了作者课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行单纵模激光器研发情况.并对器件特性进行了测试分析.......
[期刊论文] 作者：张静媛,刘国利,朱洪亮,汪孝杰,王圩,周帆,马朝华,李秉承,田慧良,边静,舒惠云,
来源：量子电子学报 年份：1999
随着互联网、宽带综合业务数字网的高速发展，要求光纤通信系统能够提供超高速、大容量的信息传输．波分复用技术可以提高系统传输速率，同时新增投资小，因此成为目前光通信研究及应......
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