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[学位论文] 作者：田本朗,,
来源：电子科技大学 年份：2013
由于自发极化和压电极化作用，AlGaN/GaN异质结界面具有很高浓度的二维电子气（2DEG），基于AlGaN/GaN异质结的场效应晶体管（heterostructurefiled-effect-transistors, HFETs，也常称为...
Performance of an AlGaN/GaN MISHEMT with sodium beta-alumina for gate insulation and surface passiva
[期刊论文] 作者：田本朗,陈超,张万里,刘兴钊,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
An AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor(MISHEMT), with sodium beta-alumina(SBA) for both gate insulation and surface passiv...
[会议论文] 作者：刘兴钊,陈超,田本朗,张万里,李言荣,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
作为介电材料在半导体器件中应用的典型代表，栅介质研究已经历了几十年的时间，然而，作为MOS或MIS器件栅介质应用的介电材料大多为非极性介电材料，主要利用了其绝缘特性，为器件......
Sodium beta-alumina thin films as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-
[期刊论文] 作者：田本朗,陈超,李言荣,张万里,刘兴钊,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Sodium beta-alumina(SBA) is deposited on AlGaN/GaN by using a co-deposition process with sodium and Al_2O_3 as the precursors.The X-ray diffraction(XRD) spectru...
[期刊论文] 作者：彭霄, 田本朗, 毛世平, 杜波, 蒋欣, 徐阳, 马晋毅,,
来源：压电与声光 年份：2019
该文介绍了一种采用智能截割(Smart CutTM)技术制备的单晶铌酸锂(LiNbO3)薄膜体声波谐振器。采用COMSOL有限元仿真软件从材料和结构两方面对LiNbO3薄膜体声波谐振器进行优化...
[期刊论文] 作者：简珂,帅垚,田本朗,白晓园,罗文博,吴传贵,张万里,
来源：压电与声光 年份：2020
采用离子注入剥离法转移制备了43°Y-切铌酸锂(LiNbO3,LN)单晶压电薄膜材料,以SiO2/Mo作为声反射结构制备了固态声反射型薄膜体声波器件。谐振器工作频率约为3 GHz,LN薄...
[期刊论文] 作者：王晓学, 帅垚, 田本朗, 白晓园, 吕露, 简珂, 罗文博,
来源：压电与声光 年份：2004
该文研究了一种新型布喇格反射型薄膜体声波(BAW)滤波器的设计方法与制备技术。BAW器件选择机电耦合系数较大的Y43°-铌酸锂(Y43°-LN)单晶薄膜作为压电层材料,并以苯并环丁...
The effects of ~(60)Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode AlGaN/GaN hig
[期刊论文] 作者：陈超,田本朗,刘兴钊,戴丽萍,邓新武,陈远富,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigate...
[期刊论文] 作者：田本朗,徐阳,曹家强,杜波,马晋毅,米佳,冷俊林,,
来源：压电与声光 年份：2016
该文介绍了F基气体电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀系统对金属Mo薄膜侧壁角度的影响。通过调节ICP干法刻蚀设备的射频功率、ICP离子源功率、腔体气压、SF6及Ar的气体流量等工...
[期刊论文] 作者：徐阳,张永川,周勇,朱昌安,田本朗,金成飞,赵明,蔡宏江,,
来源：压电与声光 年份：2016
采用中频磁控溅射法在z轴石英基片上制备了（002）择优取向的AlN薄膜。采用X线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）表征了AlN薄膜的择优取向和表面形貌。结果表明,溅射功率、氮气流量、氩等离......
[期刊论文] 作者：司美菊,杜波,田本朗,徐阳,金成飞,蒋欣,江洪敏,马晋毅,,
来源：压电与声光 年份：2016
该文研究了相关工艺参数对二氟化氙（XeF2）干法释放多晶硅的释放速率的影响。结果表明,对于薄膜体声波谐振器（FBAR）悬臂结构,腔室压力不变时,随着载气N2流量的增大,刻蚀速率先增加......
[期刊论文] 作者：杜波,马晋毅,蒋欣,江洪敏,徐阳,田本朗,金成飞,司美菊,,
来源：压电与声光 年份：2016
为了抑制薄膜体声波谐振器的寄生谐振,建立了薄膜体声波谐振器的二、三维有限元模型。通过频率响应仿真,分析了不同电极结构的谐振器在中心频率处的振动位移分布情况和频率响...
Significant performance enhancement in AlGaN/GaN high electron mobility transistor by high-κ organic
[期刊论文] 作者：王泽高,陈远富,陈超,田本朗,褚夫同,刘兴钊,李言荣,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
The electrical properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) with and without high-κ organic dielectrics are investigated. The maximum drain...
[期刊论文] 作者：王晓学,帅垚,田本朗,白晓园,吕露,简珂,罗文博,吴传贵,张,
来源：压电与声光 年份：2020
该文研究了一种新型布喇格反射型薄膜体声波(BAW)滤波器的设计方法与制备技术。BAW器件选择机电耦合系数较大的Y43°-铌酸锂(Y43°-LN)单晶薄膜作为压电层材料,并以...
[期刊论文] 作者：刘娅,马晋毅,孙科,张必壮,罗方活,徐阳,蒋平英,谭发曾,许东辉,田本朗,
来源：压电与声光 年份：2021
该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm......
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