搜索筛选:
搜索耗时2.4851秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 13 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:石继锋,, 来源:现代营销 年份:2003
十几年前,邻村有人仅种植几十株芒果树,仅用一年的收入就盖起了楼房。志鲜的父亲花光家里所有的积蓄,高价引进了几百株芒果苗。经过几年的辛劳管理,果树开始有了收成,而高贵...
[期刊论文] 作者:陈龙龙, 孙翔, 石继锋,, 来源:电子器件 年份:2004
研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH3等离子体和N2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。结果表明等离子体类型及处理时间对阈值电压、...
[期刊论文] 作者:陈龙龙,孙翔,石继锋, 来源:电子器件 年份:2018
研究了柔性基板上的薄膜晶体管,使用IGZO作为有源层,栅极绝缘层采用NH 3等离子体和N 2O等离子体分别进行处理,研究器件性能变化。结果表明等离子体类型及处理时间对阈值电压...
[期刊论文] 作者:顾文,石继锋,李喜峰,张建华,, 来源:发光学报 年份:2012
采用磁控溅射的方法在p-GaN上制备了GZO透明导电薄膜,通过在p-GaN和GZO界面之间插入AgOx薄层来改善LED器件的接触性能。研究结果表明:氮气退火后,采用界面插入层的AgOx/GZO薄...
[期刊论文] 作者:陈龙龙,张建华,李喜峰,石继锋,孙翔,, 来源:液晶与显示 年份:2015
讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层...
[期刊论文] 作者:顾文,徐韬,石继锋,李喜峰,张建华,, 来源:发光学报 年份:2013
采用射频磁控溅射的方法制备了GZO透明导电薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、霍尔效应测试仪及紫外-可见光分光光度计等手段研究了厚度对于GZO薄膜性能的影响,...
[期刊论文] 作者:石继锋,陈龙龙,李倩,李喜峰,张建华,, 来源:Journal of Shanghai University(English Edition) 年份:2011
非结晶的 InGaZnO (a-IGZO ) 电影用磁控管劈啪作响方法在 corning 鹰 XG (EXG ) 玻璃底层上被扔。结构,表面形态学,这些电影的电、光的性质被 X 光检查调查衍射(XRD ) ,扫描电...
[期刊论文] 作者:陈龙龙,石继锋,李倩,李喜峰,张建华,, 来源:Journal of Shanghai University(English Edition) 年份:2011
非结晶的 InGaZnO (a-IGZO ) 电影被无线电频率劈啪作响和退火在上的影响在玻璃底层上扔湿 a-IGZO 蚀刻电影被调查。结果显示出那随退火的增加蚀刻 IGZO 电影减少的率温度。...
[会议论文] 作者:陈龙龙,李喜峰,石继锋,孙翔,张建华, 来源:2014中国平板显示学术会议 年份:2014
本文讨论了基于柔性PI垫底上的底栅结构TFT器件工艺,TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用SiNx/SiOx双层结构,通过工艺改进解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角...
[会议论文] 作者:陈龙龙,张建华,李喜峰,石继锋,孙翔, 来源:中国真空学会2016学术年会 年份:2016
本文研究的目的:基于氧化物IGZO 的底栅TFT 器件电学性能如阈值电压、亚阈值摆幅等易受到工艺成膜条件的影响,会出现阈值电压为负值,不能满足器件驱动的要求,由此生产的氧化物器件会出现电流无法关断或低电压下器件开启的技术问题;因此本文通过相应界面处理方法以改......
[期刊论文] 作者:李喜峰,信恩龙,石继锋,陈龙龙,李春亚,张建华,, 来源:物理学报 年份:2013
采用室温射频磁控溅射非晶铟镓锌氧化合物(a-IGZO),在相对低的温度(...
[期刊论文] 作者:信恩龙,李喜峰,陈龙龙,石继锋,李春亚,张建华,, 来源:发光学报 年份:2012
利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄......
[期刊论文] 作者:张浩,陈龙龙,石继锋,李春亚,路林,李喜峰,张建华,, 来源:Journal of Shanghai University(English Edition) 年份:2011
作者制作了底部门非结晶的硅薄电影晶体管(a-Si TFT ) 用五步的平版印刷术过程的数组。设备显示出 0.43 cm2/ 的地效果活动性(V 吗?...
相关搜索: