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[期刊论文] 作者：祝进田,杨树人,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1993
本文报导在低温，低压下，以三甲基镓（TMG），三乙基铟（TEI）为Ⅲ族源材料，100％砷烷（AsH3),100%磷烷（PH3）为V族源材料，用金属有机化合物气相沉积技术在（100)InP衬底上生长出In1-GaxAs/InP多量子......
[期刊论文] 作者：祝进田,胡礼中,
来源：光子学报 年份：1994
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下......
[期刊论文] 作者：祝进田,胡礼中,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪......
[期刊论文] 作者：刘式墉,祝进田,
来源：高技术通讯 年份：1992
一、引言激光器的锁模是1964年利用染料激光器首次实现的。70年代中期,具有快、慢饱和吸收体的锁模理论已基本完善。到80年代初,R.L.Fork等人用染料激光器实现了激光器的...
[期刊论文] 作者：祝进田,胡礼中,刘式墉,,
来源：半导体光电 年份：1993
报道了利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ技术，通过Ⅴ／Ⅲ比，总载气流量和生长温度等生长条件的研究，在ＩｎＰ衬底上长出了制作器件所要求的ＩｎＧａＡｓ材料，用转靶Ｘ射线衍射仪和光致发光手段对生长的材料进行了测试分析。......
[期刊论文] 作者：祝进田,胡礼中,刘式墉,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量......
[期刊论文] 作者：祝进田,胡礼中,刘式墉,
来源：光子学报 年份：1994
本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓｐ体材料及ＩｎＧａＡＰ／ＩｎＰ量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓（ＴＭ６３）、三甲基铟（ＴＭｈ）和纯的砷烷（Ａ８Ｈ３）、磷烷（ＰＨ３）分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源，在非故意掺杂情况下......
[期刊论文] 作者：刘式墉,祝进田,胡礼中,,
来源：高技术通讯 年份：1992
一、引言激光器的锁模是1964年利用染料激光器首次实现的。70年代中期,具有快、慢饱和吸收体的锁模理论已基本完善。到80年代初,R.L.Fork等人用染料激光器实现了激光器的碰撞...
[期刊论文] 作者：陈维友,祝进田,刘式墉,
来源：中国激光 年份：1994
提出了碰撞锁模多量子阱激光器模式锁定过程的完整的物理模型，该模型全面地考虑了吸收体的饱和吸收效应和瞬态光栅效应及增益区端面附近和靠近吸收体处的瞬态光栅作用。作为应用实例采用本模型研究了多量子阱结构激光器的模式锁定过程及瞬态光栅对脉冲半峰宽及峰......
[期刊论文] 作者：祝进田,李玉东,胡礼中,陈松岩,胡朝辉,刘式墉,
来源：光子学报 年份：1994
本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光......
[期刊论文] 作者：邓家林,张全军,李文贵,钟必凤,祝进,田云,欧阳晓玲,邱模荣,
来源：中国科技成果 年份：2018
梨是我国重要的伏季水果,更是我国许多地区农业生产中农民增效的主导产业.2016年,四川省梨生产面积保持在105.2万亩左右的生产规模,年产值达到了30亿元以上.本项目实施前,由...
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