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[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：测控技术 年份：1990
本文对1989年6月26日至30日在瑞士蒙特洛举行的第五届国际固态传感器与执行器会议进行综合介绍。重点指出该领域的技术发展:如硅微系统技术与硅微机械加工技术,硅片直接组合...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：仪表技术与传感器 年份：1989
第五届国际固态传感器与执行器会议于1989年5月26日至30日在瑞士的蒙特洛举行。我国代表团有10多位代表参加会议,东南大学(南工)微电子中心童勤义教授是代表之一。这篇文章是...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1989
一、概 述 一九八九年六月廿六日至卅日,在瑞士蒙特洛举行了第五届国际固态传感器与执行器会议(简称Transducers＇89)。由于国际上固态传感器和执行器领域研究开发进展极...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1996
硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自......
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：国际学术动态 年份：1992
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[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：国际学术动态 年份：1990
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[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：仪表技术与传感器 年份：1989
第五届国际固态传感器与执行器会议于1989年5月26日至30日在瑞士的蒙特洛举行。我国代表团有10多位代表参加会议,东南大学(南工)微电子中心童勤义教授是代表之一。这篇文章是...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：2004
超大规模集成电路(VLSD)受到一系列的因索的限制,因此决定其极限的性能。了解这些因素的物理性质对发展集成电路十分重要。如图22所示,这些限制因素可以分为五个层次:(1)基本...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1984
本文是为研究生所开课程之讲课提纲草稿。目的在于使读者对于作为第四次工业革命的基础——超大规模集成电路的物理性质有一个较为清晰的认识。从而把握其发展的规律,方向及...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：2004
多年来,对于MIS结构的c—v特性进行了大量的研究但是对于高频c—v测试中串联电容的来源和性能并没有细致的分析。长期以来,对于如图1(a)和(b)所示MIS的c—v测试结构一直认为...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1991
1990年9月10—13日在英国诺丁汉大学举行了第20届欧洲固体器件研究会,9月19日—21日在法国格列诺布举行了第16届欧洲固体电路研究会.教委组织东南大学、清华大学和复旦大学派...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1988
一、超大规模集成(VLSI)特点及能力1.集成度与计算能力自1959年世界上第一块半导体硅集成电路研制成功以来,集成电路以其极高的性能价格比,受到工业界及学术界极端的重视,实...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1988
四、硅系统设计的CAD系统四(一)硅系统设计中CAD的主要内容如前所述,VLSI系统具有很高的复杂性.VLSI系统设计的关键是复杂性管理.硅系统的设计方法学的基本出发点即是有效的...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1988
三、超大规模集成系统的设计、方法学(一)VLSI系统设计复杂性管理方法VLSI系统是一个高度复杂的系统.它包含数以万计的器件在一个芯片上,它们需要互相隔离又要按一定功能互相...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1985
一、概况 第十五届欧洲固体器件研究学术会议（ESSDERC’85）1985年9月9日至12日在西德亚琛举行。共有400余人参加了会议。他们来自欧洲（包括东欧和苏联）各国,日本,美国,加拿大和...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1978
一、引言 工艺问题是MOS集成电路（以下简称MOSIC)CMOSIC的关现问题。这里包括二方器的问题,一是工艺参数,材料参数的正确高计,二是工艺条件和方法的稳定,可控,以保证上述工艺...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1980
近年来,由于超精细加工技术和计算机辅助设计技术的发展,MOSLSI取得了长足的进展,出现了超大规模MOS集成电路MOSVLSI,使集电路高性能和低成本的特点更为突出。这些超精细加工...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1984
2·1“按比例缩小”的基本理论(CE理论)。 由上章的讨论可知,MOS器件尺寸的缩小,在集成电路的集成度提高与性能改善方面,起主要作用。1974年Dennard等提出了MOS器件“按比例...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：电子器件 年份：1984
由前三章的讨论可知,随着集成电路技术向超大规模集成的方向发展,MOS器件的尺寸日益缩小,它的性能不再能用一个简单的一维分析公式来表示。二维的和三维的效应和各种非线性效...
[期刊论文] 作者：童勤义,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
硅微电子系统是超大规模集成电路技术的最重要的应用领域。它的设计与制备必须按照VLSI的技术特点,以求充分发挥VLSI能力与潜力。 硅微电子系统无论在设计或在工艺制备方面...
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