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[学位论文] 作者：童明照,
来源：上海交通大学 年份：1999
该文第一章对单电子学的一些基本知识作了简单回顾并介绍了论文的结构安排.第二章讨论了几种单电子存储器的设计方案,并根据单电子学的半经典模型模拟了陷阱型单电子存储单元...
[期刊论文] 作者：童明照,蒋建飞,
来源：半导体学报 年份：1998
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半径典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管的......
[期刊论文] 作者：童明照,蒋建飞,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对两结和三结高温超导电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶体管......
[会议论文] 作者：童明照,蒋建飞,
来源：第三届全国超导薄膜和超导器件学术会议 年份：1997
该文基于单电子隧道效应的半经典模型研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子......
[期刊论文] 作者：童明照,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
基于单电子隧道效应的半经典模型，研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程，分析了其I－V特性，并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明，单电子晶......
[期刊论文] 作者：童明照,蒋建飞,蔡琪玉,
来源：半导体学报 年份：1998
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特......
[期刊论文] 作者：黄萍,蒋建飞,蔡琪玉,童明照,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
根据单电子系统半经典模型 ,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类 CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟。这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟...
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