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[会议论文] 作者：于映, 罗仲梓, 翁心桥,,
来源： 年份：2004
本文采用氯苯浸泡法对0.2-2.0UM的AL、AU溅射薄膜进行了剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研...
[期刊论文] 作者：于映, 罗仲梓, 翁心桥,
来源：真空科学与技术学报 年份：2004
本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜,溅射Au制作共平面波导,聚酰亚胺作为牺牲层,运用等离子体刻蚀法释放...
[期刊论文] 作者：于映,吴清鑫,罗仲梓,
来源：第八届中国微米/纳米技术学术年会 年份：2006
氮化硅薄膜具有致密的结构、高强度和良好的耐磨性能,可用于MEMS器件中作为结构部件.本文采用PECVD法制备氮化硅薄膜,对氮化硅薄膜的杨氏模量和硬度进行了测试,并分析了沉积...
[会议论文] 作者：于映, 赵晨, 罗仲梓, 翁心桥,,
来源： 年份：2004
本文采用氯苯浸泡法对(0．2～2．0)μm的Al、Au溅射薄膜进行剥离,分析了光刻胶厚度和薄膜厚度与剥离图形的关系,对剥离过程中氯苯浸泡工艺以及溅射工艺对剥离图形的影响进行了研究,......
[会议论文] 作者：罗仲梓,邓菊莲,俞金木,
来源：中国声学学会超声电子学分科学会1987年学术交流会 年份：1987
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[期刊论文] 作者：吴清鑫, 陈光红, 于映, 罗仲梓,,
来源：功能材料 年份：2007
采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气...
[期刊论文] 作者：陈光红,吴清鑫,于映,罗仲梓,,
来源：苏州市职业大学学报 年份：2012
研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后...
[期刊论文] 作者：吕文龙,罗仲梓,何熙,张春权,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作...
[期刊论文] 作者：吴清鑫, 陈光红, 于映, 罗仲梓,,
来源：传感器与微系统 年份：2009
采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导（CPW）、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁，制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关。着重对开关的关键工艺-CPV的Au剥离工艺和悬...
[期刊论文] 作者：陈光红,于映,罗仲梓,吴清鑫,
来源：功能材料 年份：2005
研究了AZ52ME反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚2μm的金薄膜.用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面....
[期刊论文] 作者：王培森,于映,罗仲梓,彭慧耀,
来源：微纳电子技术 年份：2007
介绍了一种新的R．F—MEMS开关制作工艺，利用静电键合技术将表面微加工工艺与体硅加工工艺结合在一起完成开关上下电极的组合；说明了如何在普通环境下进行图形对准；通过静电力的理......
[期刊论文] 作者：陈光红,吴清鑫,于映,罗仲梓,,
来源：中国仪器仪表 年份：2008
概述射频MEMS开关的研究背景及意义，介绍国内外射频MEMS开关的研究现状，列举出两种主要的射频MEMS开关：电容耦合并联式开关和金属．金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较......
[期刊论文] 作者：陈光红,吴清鑫,于映,罗仲梓,,
来源：中国仪器仪表 年份：2007
主要介绍微机电系统（MEMS）中几种测量薄膜力学性能的方法，如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法，比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义......
[期刊论文] 作者：彭慧耀,于映,罗仲梓,王培森,
来源：传感技术学报 年份：2006
聚酰亚胺树脂（PI）因其良好的平面化特性、在氧气中易灰化、不完全固化易溶解于碱性显影液、在CHF3等离子气氛中有较强的抗蚀性等性质，在电容RF MEMS开关的制作过程中，应用它作为......
[期刊论文] 作者：于映，赵晨，罗仲梓，翁心桥，YuYing，ZhaoChen，,
来源：真空科学与技术学报 年份：2005
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[期刊论文] 作者：何熙,陈松岩,方辉,罗仲梓,谷丹丹,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2008
基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺，所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度.这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问......
[期刊论文] 作者：杨扬,田景华,罗仲梓,吴孙桃,田中群,,
来源：材料工程 年份：2008
将普通光刻技术和电化学技术相结合，在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法（MCBJ）所需的悬空纳米间隔金属电极对，并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺（PI）作为牺牲层使得电极对悬空，明......
[会议论文] 作者：冯石;刘俊扬;郑珏婷;杨扬;罗仲梓;田中群;,
来源：中国化学会第29届学术年会 年份：2014
通过机械可控裂结法(Mechanically Controllable Break Junction,MCBJ),在微芯片上构筑并精确控制金属电极对的纳米间隔,适当长度的分子可在纳米间隔中自组装形成稳定的...
[会议论文] 作者：彭慧耀[1]于映[1]罗仲梓[2]王培森[1],
来源：第八届中国微米/纳米技术学术年会 年份：2006
聚酰亚胺树脂(PI)因其良好的平面化特性、在氧气中易灰化、不完全固化易溶解于碱性显影液、在CHF3等离子气氛中有较强的抗蚀性等性质,在电容RF MEMS开关的制作过程中,应用它...
[期刊论文] 作者：吴清鑫, 于映, 罗仲梓, 陈光红, 张春权, 杨渭,
来源：集美大学学报：自然科学版 年份：2005
采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残...
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