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[期刊论文] 作者：关安民,罗潮渭,
来源：电子学报 年份：1996
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１ｕｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超......
[会议论文] 作者：关安民,罗潮渭,
来源：第六届电子束离子束学术年会 年份：1995
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[期刊论文] 作者：乔墉,卢建国,罗潮渭,邵永富,王渭源,
来源：半导体学报 年份：2004
掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也...
[期刊论文] 作者：关安民,李钧,石华君,罗潮渭,夏冠群,
来源：微细加工技术 年份：1993
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到~(209)Bi;最低能量5keV的As~+、Se~+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ...
[期刊论文] 作者：杨悦非,乔墉,刘月琴,罗潮渭,王渭源,
来源：传感器技术 年份：1987
实验得到Hall元件的不等位电势Vo与元件的不对称因子和薄层电阻两者乘积成正比。实验表明,对离子注入Hall元件,Vo主要由载流子浓度分市的均匀性决定,均匀性好,Vo小,成品率高...
[期刊论文] 作者：关安民,罗潮渭,李钧,石华君,林成鲁,夏冠群,
来源：电子学报 年份：1996
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和......
[期刊论文] 作者：王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐,
来源：应用科学学报 年份：2004
本文研究了硅全离子注入的平面型GaAs双栅MESFET.有源层注入条件为110ke V、3.5×10~(12)cm~(-2),接触层注入条件为50keV、8×10~(12)cm~(-2),退火条件为800℃30分钟.FET的铝...
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