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[期刊论文] 作者：韩荣典,翁惠民,
来源：原子与分子物理学报 年份：1992
利用延迟符合技术,以Ps原子的退激信号为起始信号,以退激后基态Ps湮灭γ光子信号为终止信号,测量Psl~3S_1基态寿命谱可以证明Ps原子激发态的存在。根据本实验测量系统探测器...
[期刊论文] 作者：翁惠民,韩荣典,
来源：核技术 年份：1997
＾２２Ｎａ发射的正电子照射在经过２２００℃，１５ｍｉｎ退火的多晶钨箔上慢化并收集成慢正电子束，用平面减速栅能量分析器和通道电子倍增器测量能谱，测得在 １３３μＰａ的环境中，钨发射的慢正电子的能量峰位在１．７ｅＶ，自然宽......
[期刊论文] 作者：程宇航,翁惠民,
来源：无机材料学报 年份：1998
采用射频－直流等离子化学气相沉积法制备类金刚石薄膜，用慢正电子湮灭技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布，并系统研究了工艺参数对类金刚石薄膜中缺陷浓度的影响。实验结果......
[期刊论文] 作者：韩荣典,翁惠民,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1990
本文介绍一台磁聚焦传输的慢正电子束装置.在该装置上用Ni+MgO 慢化体产生了慢正电子,测量了慢正电子能谱,并和其他实验组用Au(Pt,不锈钢)+MgO慢化体所得实验结果进行了比较....
[期刊论文] 作者：翁惠民,周先意,
来源：物理 年份：2000
慢正电子束技术十几年来发展起来的探测材料近表面微结构的新手段，文章介绍了其在薄膜、界面和近表面测量的基本方法和部分应用结果。...
[期刊论文] 作者：郑万辉,翁惠民,
来源：辐射研究与辐射工艺学报 年份：1996
用慢正电子束多普勒展宽谱研究环氧丙烯酸酯体系电子束固化涂层。Ｓ－Ｅ曲线给出了稀释剂分子结构及其相对含量，辐射剂量，预聚物和交联剂含量等对ＥＢＣ涂层 观结构的影响，以及随深度变化的......
[期刊论文] 作者：张芳,徐克尊,翁惠民,
来源：核技术 年份：1991
本文介绍用电子和正电子束流测试单通道电子倍增器的高压坪曲线、脉冲幅度分布和效率曲线;还用电子束流测试了阈电压和坪起始电压随电子能量的变化、增益随工作电压的变化、...
[期刊论文] 作者：王海云,翁惠民,,
来源：物理学报 年份：2008
通过对不同生长厚度GaN/SiC(n-n)的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场.这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC...
[期刊论文] 作者：王海云,翁惠民,C．C．Ling,
来源：物理学报 年份：2008
通过对不同生长厚度GaN/SiC（n-n）的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场.这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC不...
[期刊论文] 作者：翁惠民,韩荣典,秦敢,
来源：核技术 年份：1997
２２Ｎａ发射的正电子照射在经过２２００℃、１５ｍｉｎ退火的多晶钨箔上慢化并收集成慢正电子束，用平面减速栅能量分析器和通道电子倍增器测量能谱。测得在１３３μＰａ的环境中，钨发射的慢正电子的能量峰位在１．７ｅＶ，自然......
[会议论文] 作者：翁惠民,J.D.Zhang,C.C.Ling,C.D.Beling,S.Feng,
来源：第八届全国正电子谱学会议 年份：2002
本文用慢正电子束技术研究Cu/SiC结构的结果.用多普勒展宽能谱线形S参数测量,从10K-300K改变样品的湿度测量不同温度的S-E曲线,发现在BK和245K时Cu/SiC结构存在双向相变的现...
[会议论文] 作者：张苗,翁惠民,周祖尧,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：郭学哲,翁惠民,韩荣典,
来源：第四届全国正电子湮没谱学会议 年份：1990
...
[期刊论文] 作者：彭郁卿,朱金元,翁惠民,
来源：核技术 年份：1998
用离子注入、氧化和慢正电子束分析研究了ＧＨ９０３合金的氧化性能的改善与微观作用机理。注入的Ｃｒ＋．Ｙ＋的能量均为６０ｋｅＶ，注入的剂量分别由１ｘ１０１７．ｃｍ－２（Ｃｒ＋）、１ｘ１０１５Ｃｍ－２（Ｙ＋）和［１ｘ１０１５．ｃｍ－２（Ｙ＋）＋１ｘ１０１７·ｃｍ－２（Ｃｒ＋）］。结束显示，注入样品与未样品相比。氧化增重分别减少......
[期刊论文] 作者：徐燕,吴艳,翁惠民,程宇航,,
来源：江南大学学报(自然科学版) 年份：2008
对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜（a-C：H）的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分析了样品缺陷浓度的分布情况.结果表明,在不......
[期刊论文] 作者：袁菁,龚敏,王海云,翁惠民,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2010
本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术，应用于对SiC表面热氧化生长的SiO2特性的研究．S参数和W参数在退火前后的变化，直观的反映出SiO2／SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变．通过与......
[期刊论文] 作者：王海云,翁惠民,周先意,
来源：化学物理学报 年份：2008
利用单能慢正电子束流,对原生的和经过电子辐照的6H-SiC内的缺陷形成及其退火行为进行研究.发现在n型6H-SiC中,经过退火后缺陷浓度降低.这主要是因为在退火过程中缺陷和间隙...
[期刊论文] 作者：秦敢,徐纪华,翁惠民,韩荣典,
来源：原子与分子物理学报 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：翁惠民，黄千峰，杜罡，韩荣典,
来源：核技术 年份：1998
介绍了用慢正电子束探针研究Ａｓ＾＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷消除效应的结果，用正电子Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺......
[会议论文] 作者：成斌;翁惠民;韩荣典;叶邦角;,
来源：中国核学会2009年学术年会 年份：2009
数字信号处理电路的高速发展使对信号直接采样进行数字处理方法在核技术领域得到广泛应用.由于数字化谱仪具有:噪声低,长时间性能稳定,灵活的在线或离线数据处理,系统组建简...
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