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[学位论文] 作者：耿广州,
来源：青岛大学 年份：2013
自然界中金属氧化物的种类繁多，并有具有各种各样的用途。NiO就是一种典型的直接带隙宽禁带P型半导体材料，禁带宽度为3.6到4.0 eV。它的半导体特性主要是由于NiO中含有大量的镍...
[期刊论文] 作者：张倩, 单福凯, 耿广州, 刘国侠,
来源：青岛大学学报(自然科学版 年份：2013
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[期刊论文] 作者：耿广州, 单福凯, 张倩, 刘国侠,
来源：青岛大学学报(自然科学版 年份：2013
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[期刊论文] 作者：孙海燕, 耿广州, 黄家寅, 单福凯,
来源：青岛大学学报(自然科学版 年份：2011
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[期刊论文] 作者：孙海燕,耿广州,黄家寅,单福凯,LEE Won-jae,,
来源：青岛大学学报(自然科学版) 年份：2011
采用射频磁控溅射的方法，通过改变溅射气压，在玻璃衬底上沉积出具有C轴择优取向的ZnO薄膜。用X射线衍射仪（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对不同溅射气压下ZnO薄膜的......
[期刊论文] 作者：张倩, 单福凯, 耿广州, 刘国侠, Shin B.C.,,
来源：青岛大学学报(自然科学版) 年份：2004
采用射频磁控共溅射法,以In2O3和Zn2TiO4陶瓷靶为共溅射靶材,在玻璃衬底上制备了InTiZnO薄膜。在薄膜制备过程中,固定In2O3靶材的溅射功率,研究了Zn2TiO4靶材溅射功率对薄膜...
[期刊论文] 作者：周洪进,孙海燕,耿广州,刘国侠,单福凯,
来源：青岛大学学报：自然科学版 年份：2010
用溶胶凝胶法制备了BiFeO3前驱体，经不同温度（500～800℃）、不同气氛（O2和N2）煅烧得到了BiFeO3粉体，并在O2或N2气氛条件下烧结制备了BiFeO3陶瓷。用X射线衍射对比研究了不同气氛条件......
[期刊论文] 作者：张倩,单福凯,耿广州,刘国侠,Shin B.C.,Lee W,
来源：青岛大学学报：自然科学版 年份：2013
采用射频磁控共溅射法,以In2O3和Zn2TiO4陶瓷靶为共溅射靶材,在玻璃衬底上制备了InTiZnO薄膜。在薄膜制备过程中,固定In2O3靶材的溅射功率,研究了Zn2TiO4靶材溅射功率对薄膜...
[期刊论文] 作者：耿广州,单福凯,张倩,刘国侠,Shin B.C.,Lee W,
来源：青岛大学学报：自然科学版 年份：2013
采用射频磁控溅射法,以NiO靶材为溅射靶材,在不同温度玻璃衬底上制备了NiO薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、分光光度计以及四探针测试系统研......
[期刊论文] 作者：耿广州,单福凯,张倩,刘国侠,Shin B.C.,Lee W.J.,Kim I.S.,,
来源：青岛大学学报(自然科学版) 年份：2013
采用射频磁控溅射法,以NiO靶材为溅射靶材,在不同温度玻璃衬底上制备了NiO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计以及四探针测试...
[会议论文] 作者：张倩,刘国侠,单福凯,耿广州,谭惠月,刘奥,B.C.Shin,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
非晶金属氧化物薄膜晶体管由于其优异的特性,在平板显示器领域拥有广阔的应用前景.本文采用脉冲激光沉积技术在热氧氧化后的p型Si衬底上制备InTiZnO半导体薄膜作为薄膜晶体管的有源层,进而成功制备了底栅顶接触的InTiZnO薄膜晶体管.......
[会议论文] 作者：谭惠月,刘国侠,单福凯,刘奥,张倩,耿广州,B.C.Shin,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
氧化铟是一种宽带隙半导体材料,具有高的可见光透过率和高的单晶体迁移率,这些特点使得In2O3在制作高性能TFT方面具有很大优势.而ZnO薄膜由于存在氧空位和锌填隙的缺陷,使得室温下很难生长出高结晶质量的薄膜,因此我们采用单纯的In2O3薄膜作为有源层.用热氧化的......
[会议论文] 作者：刘奥,刘国侠,单福凯,朱慧慧,谭慧月,张倩,耿广州,B.C.Shin,
来源：第十九届全国半导体物理学术会议 年份：2013
采用脉冲激光沉积技术在P型Si衬底上生长Al2O3栅绝缘层,利用射频磁控共溅射技术制备非晶InTiZnO半导体薄膜作为沟道有源层,成功制备了底栅结构的薄膜晶体管....
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