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[期刊论文] 作者：苏洪源,,
来源：中国中医急症 年份：2005
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[期刊论文] 作者：苏洪源,,
来源：浙江中医学院学报 年份：1995
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[期刊论文] 作者：苏洪源,,
来源：教育教学论坛 年份：2011
美的语言是蜜,它可以粘住一切。中学语文教师要善于用美的语言进行教学。教学语言要词准意切,生动有趣;精要多变,通俗易懂;亲切热情,富有魅力。在教育教学中科学地用好语言,...
[期刊论文] 作者：苏洪源,
来源：浙江中医学院学报 年份：2004
目前中西医在疣状胃炎的治疗上均缺乏理想的治疗方法和治疗药物.笔者自2000年1月～2002年12月共收治疣状胃炎病人68例,应用自拟消疣和胃汤治疗,并与克拉霉素、替硝唑,枸橼酸铋...
[期刊论文] 作者：苏洪源,
来源：浙江中医杂志 年份：1996
中西医结合治疗流行性出血热５６例３２１０７５浙江省金华县第二人民医院苏洪源我院自１９９３年１０月￣１９９５年１０月２年间共收治流行性出血热（ＥＨＦ）５６例，均采用中药清瘟败毒散加减结合西药对症治疗，取得满意的疗效，现介绍如下......
[期刊论文] 作者：苏洪源,,
来源：学周刊 年份：2013
初中学生学习写作文,首先要学会写好一段话,只有写好了一段话,才能为谋篇布局、结构成篇打下好的基础。要写好一段话,语文教师就要引导学生熟练地掌握“两要、两把、一突出”...
[期刊论文] 作者：苏洪源,
来源：阅读与鉴赏·学术版下旬刊 年份：2011
怎样进行语文创新教学？创新教学的途径有多种，而科学设计与组织课堂提问即是其中一个重要方法。纵观古今，横观中外，很多教育家非常注重问题教学。著名教育家苏霍姆林斯基认为：“真正的学校乃是一个积极思考的王国。” 最近一项资料显示：有21个国家参与的中小学生......
[学位论文] 作者：苏洪源,
来源：北京工业大学 年份：2015
功率VDMOSFET广泛用于卫星、航天器开关电源。在空间应用中由于单粒子效应引起的VDMOSFET器件烧毁或性能劣化可能导致卫星电源系统失效，因此，空间用VDMOSFET的一个重要参数指标...
[期刊论文] 作者：童惠琴,苏洪源,,
来源：中国中医急症 年份：2008
老年性阴道炎为绝经后妇女的常见病，主要由于妇女绝经后卵巢功能衰退使阴道变化而产生的一系列炎症性病变。传统的妇科临床以雌激素和局部抑菌药治疗可收到一定的效果，但疗效不......
[期刊论文] 作者：苏洪源,申东原,
来源：中国中西医结合消化杂志 年份：2004
笔者自1999年1月~2001年12月运用中西医结合疗法治疗溃疡性结肠炎(UC)104例,并与柳氮磺吡啶治疗82例对照观察,取得理想效果。现报告如下。From January 1999 to December 2...
[期刊论文] 作者：罗益文,苏洪源,
来源：新中医 年份：2014
目的:观察中西医结合法管理妊娠性哮喘的临床疗效.方法:将妊娠性哮喘患者93例,随机分为2组.对照组31例给予常规西医治疗,观察组62例在对照组的基础上根据哮喘的寒热属性,寒哮...
[期刊论文] 作者：贾云鹏,苏洪源,金锐,胡冬青,吴郁,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
The addition of a buffer layer can improve the device’s secondary breakdown voltage, thus, improving the single event burnout(SEB) threshold voltage. In this p...
[期刊论文] 作者：苏洪源,杨霏,贾云鹏,吴郁,胡冬青,李立,,
来源：智能电网 年份：2015
功率器件作为电力电子器件的典型代表,在智能电网的相关设备中起着至关重要的作用。针对智能电网中所用的功率器件(绝缘栅双极晶体管(insulated-gate bipolar transistor,IGB...
[会议论文] 作者：屈静,吴郁,胡冬青,贾云鹏,匡勇,苏洪源,李蕊,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
功率半导体器件静电放电及雪崩耐量对器件性能及坚固性的影响在应用中至关重要.采用简明分段线性电流源,分别对功率快恢复二极管反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,分析讨论...
[会议论文] 作者：李蕊,胡冬青,吴郁,贾云鹏,苏洪源,屈静,匡勇,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文针对150V功率MOSFET,利用电荷耦合概念,采用双层外延漂移区结构,对器件进行了设计与仿真:设置哑元胞,在导通电阻增加很少的情况下降低饱和压降,将起电荷耦合作用的垂直RE...
[会议论文] 作者：匡勇;贾云鹏;吴郁;胡冬青;屈静;苏洪源;李蕊;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文提出了一种新型场终止IGBT结构——线性掺杂场终止型IGBT(Line Doping Field Stop-LDFS)。与传统FS-IGBT的突变掺杂的场终止结构不同，本文提出的LDFS-IGBT具有20-30μm宽,...
[会议论文] 作者：苏洪源;胡冬青;吴郁;贾云鹏;李蕊;匡勇;屈静;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
载流子存储层(Carrier Stored Layer-CSL)可以改善IGBT导通态载流子分布,降低通态电压,但影响器件阻断能力.本文在CSL层下方近哑元胞侧设计了P型埋层(P Buried Layer-PBL),利...
[期刊论文] 作者：匡勇,贾云鹏,金锐,吴郁,屈静,苏洪源,李蕊,,
来源：半导体技术 年份：2015
为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管(FS-IGBT)电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管(GFS-IGBT)的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不...
[期刊论文] 作者：李蕊,胡冬青,金锐,贾云鹏,苏洪源,匡勇,屈静,,
来源：半导体技术 年份：2014
电荷耦合是适用于中等电压功率MOSFET设计的先进设计理念之一,该设计思想旨在改善器件阻断态下的电场分布从而提高耐压。针对150 V电荷耦合功率MOSFET双外延漂移区(分别为电...
[期刊论文] 作者：屈静,吴郁,刘钺杨,贾云鹏,匡勇,李蕊,苏洪源,,
来源：半导体技术 年份：2015
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采用简明分段线性电流源,分别对功率FRD反偏ES...
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