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[期刊论文] 作者：范才有,
来源：微电子学 年份：1993
本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注...
[期刊论文] 作者：范才有,
来源：微电子学 年份：1990
本文报告了P_(31)~+离子注入Si中快速退火的电特性研究结果。采用高精度四探针测量了P_(31)~+注入层在不同注入剂量下,薄层电阻与退火温度和退火时间的关系。采用自动电化学...
[期刊论文] 作者：范才有,
来源：微电子学 年份：1990
本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我...
[期刊论文] 作者：范才有,
来源：微电子学 年份：1989
在高剂量离子注入过程中,由于设备终端系统真空度的降低而引起注入效率降低,由此而产生注入重复性度差。作者提出,在注入前(采用粘靶工艺)将待注入的靶进行烘烤,可以克服上述...
[期刊论文] 作者：范才有,
来源：微电子学 年份：1994
本文报告以实验的方法，经过一年的工艺跟踪试验，对某型号在线运行十年的中能离子注入机的运行质量进行检测研究。用四探针法研究了中剂量（１×１０￣（１４）ｃｍ－２）注入样品的薄层电阻，发现最大偏差......
[期刊论文] 作者：S.T.Hsu,范才有,
来源：微电子学 年份：1987
亚微米沟道n~+多晶或n~+多晶硅化物栅CMOSFET具有较大亚阈值漏电流和较小的驱动电流。CMOS VLSI理想的栅材料所具有的功函数应是硅的电子亲和能加上硅禁带能的一半。钨是亚微...
[期刊论文] 作者：A.G.K.Lutsch,范才有,
来源：微电子学 年份：1987
离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(...
[期刊论文] 作者：黄开军,范才有,
来源：半导体技术 年份：1990
为了满足集成电路向高密谋,高速度和高可靠性发展的需要,特别是浅结和微小区域的欧姆接触的需要,使用多层金属化系统,多层金属化要求低的接触电阻,高可靠性.TiN/TiSi2是一种...
[期刊论文] 作者：范才有,郑宜钧,
来源：微电子学 年份：1983
本文阐述了把BF2离子团作为一种受主杂质在器件中的应用。认为在半导体器件工艺中,BF2离子团不仅可以代替B离子掺杂,而且由于损伤“吸杂”,可获得比注B离子低二～三个数量级PN...
[期刊论文] 作者：Shoucair,范才有,
来源：微电子学 年份：1988
报道了对基本CMOS逻辑单元在25～250℃(结)温度范围内的开关速度性能的研究结果;把两种标准的4μmCMOS工艺制作的电容负载反相器和与非门的实验测量结果,与理论的及SPICE2G6的...
[期刊论文] 作者：郑宜钧,范才有,
来源：微电子学 年份：2004
一、两种错误控制 实际低剂量硼注入时,习惯采用的是在常规剂量硼注入的引束基础上减少注入靶流,为此,在质谱和质谱前所能采用的办法:一是质谱时偏离B″离子的高峰;二是减少...
[期刊论文] 作者：范才有, 郑宜钧,,
来源：微电子学 年份：1983
本文阐述了把BF2离子团作为一种受主杂质在器件中的应用。认为在半导体器件工艺中,BF2离子团不仅可以代替B离子掺杂,而且由于损伤“吸杂”,可获得比注B离子低二～三个数量级PN...
[期刊论文] 作者：杨必祥,范才有,
来源：中国职工教育 年份：1997
一、管理人员培训工作刻不容缓 党的十四届五中全会指出:“实现‘九五’和2010年的奋斗目标,关键是实行两个具有全局意义的根本性转变,一是经济体制从传统的计划经济体制向...
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