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[会议论文] 作者：莫鸿翔,茹国平,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文对用离子束溅射形成的Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ结构的固相反应进行了研究。四探针仪，ＲＢＳ和ＡＥＳ等测试表明，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ在氮气中经高温退火后可形成（Ｎｉ－Ｃｏ）Ｓｉ〈，２〉相，其电阻率可达１６．４μΩ．ｃｍ，并发现其有一定的外延趋势。......
[期刊论文] 作者：莫鸿翔,屈新萍,茹国平,刘建海,李炳宗,
来源：微细加工技术 年份：1999
在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ薄膜，形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构，通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ沟道谱，ＳＥＭ及四探针等方法（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试，在Ｓｉ衬底上Ｃｏ，Ｎｉ多层膜经快速......
[期刊论文] 作者：莫鸿翔,屈新萍,茹国平,刘建海,李炳宗,
来源：微细加工技术 年份：1999
在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ薄膜，形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构，通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ沟道谱，ＳＥＭ及四探针等方法对（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试，在Ｓｉ衬底上Ｃｏ，Ｎｉ多层膜经快......
[期刊论文] 作者：屈新萍,李炳宗,茹国平,顾志光,徐鸿涛,莫鸿翔,刘京,朱剑豪,
来源：半导体学报 年份：1998
本文研究Ｓｉ中间淀积层对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１００）固相异质外延的影响．用离子束溅射方法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构，通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应．实验表明，利用Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ固相反应得到的ＣｏＳｉ２薄膜具有良好的外延......
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