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[学位论文] 作者：董作典,,
来源：西安电子科技大学 年份：2009
AlGaN/GaN HEMT器件的微波大功率特性自1993年以来已取得巨大的进步,但是仍然存在许多制约因素限制了其性能的提升和应用的发展。其中大功率工作时GaN缓冲层的漏电引起器件功...
[期刊论文] 作者：董作典, 文平, 杨钊, 华熙,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2015
结构分析(CA)或破坏性物理分析(DPA)试验可以有效地评价低温共烧陶瓷(LTCC)元器件的制造工艺质量。分析试验需对LTCC器件做剖面制样,重点考察通孔剖面处的工艺质量。采用样品...
[期刊论文] 作者：韩宝妮,文平,李海岸,董作典,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2018
介绍了输出起振于寄生频率、激励电平过大引起的输出频率跳变和晶片与导电胶粘接部位存在裂纹这3种宇航用晶体谐振器的主要失效模式,并对每一种失效模式的失效机理进行了分析...
[期刊论文] 作者：宋燕, 董作典, 李茹, 唐旭, 韩宝妮,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2019
干簧管是微波开关的重要组成部分,在航天应用中发挥着不可替代的作用。针对干簧管在应用中常见的几种失效模式,如玻璃管裂纹、气泡、内部存在缺陷或多余物、封接区域过小和电...
[期刊论文] 作者：韩宝妮, 文平, 董作典, 唐旭, 宋燕,,
来源：电子元件与材料 年份：2018
微波芯片电容器作为一种新型的电容器,已被广泛应用于宇航,而国军标和行业标准中目前并无适用的评价方法.针对宇航用芯片电容器的应用方式和失效模式,设计了一套宇航用微波芯...
[期刊论文] 作者：宋燕, 史广芹, 董作典, 唐旭, 韩宝妮,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2019
随着电子行业的快速发展,对元器件的表面处理提出了更高的要求。首先结合表面处理的定义和目的,介绍了几种表面处理的方法,如机械表面处理、化学表面处理、电化学表面处理和...
[期刊论文] 作者：韩宝妮, 文平, 董作典, 华熙, 冯鹤, 宋燕,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2018
为了保证航天器的可靠性,需要对宇航MCM和SIP电路内部选用的低等级芯片的可靠性进行评价。由于受到芯片制样工艺、匹配电路和测试精度等因素的影响,芯片评价中芯片制样评价的...
[期刊论文] 作者：刘林杰,岳远征,张进城,马晓华,董作典,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2009
采用原子层淀积(ALD)实现了10nmAl2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证...
[期刊论文] 作者：何婷,敖冬飞,史广芹,文平,华熙,董作典,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2020
为了控制微波密封电路壳体中的氢含量,降低氢致失效概率,提升电路的可靠性,研究了应用吸氢材料吸收电路封装内的氢的方式。通过分析选取了合适的吸氢材料和用量,并结合试验和...
[期刊论文] 作者：董作典,宋燕,史广芹,韩宝妮,唐旭,何婷,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2016
电容失效是电子电路中常见的故障。通过对某QPSK调制器微波单片集成电路（MMIC）进行失效分析,确定了该产品出现的故障是由MIM电容引起的,进一步地通过故障原因排查和故障机理分...
[期刊论文] 作者：张进城,董作典,秦雪雪,郑鹏天,刘林杰,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2004
通过对GaN基异质结材料C-V特性中耗尽电容的比较,得出AlGaN/GaN异质结缓冲层漏电与成核层的关系.实验结果表明,基于蓝宝石衬底低温GaN成核层和SiC衬底高温AlN成核层的异质结...
[期刊论文] 作者：王蓉,袁兴武,杨桂花,董作典,韩包妮,李婧,
来源：通讯世界 年份：2021
隔离器的真空功率耐受试验得到的温度数据离散性大,难以对热设计的有效性进行评估,也难以在实际应用时发挥作用.本文通过对隔离器真空功率耐受试验方法的分析,找到了引起温度数据离散性的关键因素:隔离器试验时的安装和控温方式差异,并结合导热路径,就不同的安......
[期刊论文] 作者：张进成,郑鹏天,董作典,段焕涛,倪金玉,张金凤,郝跃,,
来源：物理学报 年份：2009
首先通过一维自洽求解薛定谔/泊松方程,研究了AlGaN/GaN双异质结构中AlGaN背势垒层Al组分和厚度对载流子分布特性的影响.其次利用低压MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出具有不同...
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