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[期刊论文] 作者：刘玉岭,蔡冰祁,
来源：半导体技术 年份：2000
对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了...
[期刊论文] 作者：刘玉岭,蔡冰祁,刘立威,
来源：半导体技术 年份：2000
对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了...
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