搜索筛选:
搜索耗时3.3345秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：蔡坤煌,,
来源：秘书之友 年份：2014
一、当代女秘书示弱的定义及必要性俄罗斯心理学家库斯洛指出:示弱,其主旨就是自爆缺陷和弱项。①然而当代女秘书在职场中“示弱”非真弱,而是指在为领导服务中,具有幕后意识...
[学位论文] 作者：蔡坤煌,
来源： 年份：2008
Si基SiGe异质结构因其优良的性质,与成熟的Si工艺相兼容,成为制备高性能硅基微电子与光电子器件的重要材料。SiGe弛豫衬底克服了SiGe晶格失配的限制,是实现高性能Si基SiGe光电子与微电子器件集成的理想平台。传统的SiGe弛豫衬底的制备方法是采用Ge组分渐变缓冲......
[期刊论文] 作者：方春玉,蔡坤煌,,
来源：光谱实验室 年份：2009
SiGe弛豫衬底是制备高性能Si基SiGe光电子器件的基础平台。本文通过1050℃不同时间氧化SiGe/SiMQW材料,分析氧化过程中Ge组分、弛豫度的变化趋势,制备位错密度低、表面平整、...
[期刊论文] 作者：蔡坤煌,张永,李成,赖虹凯,陈松岩,
来源：半导体学报 年份：2007
SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台，通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密...
[期刊论文] 作者：周志文,蔡志猛,张永,蔡坤煌,周笔,林桂江,汪建元,李成,赖,
来源：半导体学报 年份：2008
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、...
[会议论文] 作者：李成,胡美娇,卢卫芳,蔡坤煌,张永,徐剑芳,黄巍,赖虹凯,陈松岩,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
基于氧化SOI基SiGe过程中硅被选择性氧化，而锗被排斥浓缩在氧化层之间，制备出不同组份SGOI和超薄GOI材料，优化设计了氧化和退火过程，对锗浓缩法形成的SGOI(GOI)材料结构、锗...
[期刊论文] 作者：周志文,蔡志猛,张永,蔡坤煌,周笔,林桂江,汪建元,李成,赖虹凯,陈松岩,余金中,王启明,,
来源：半导体学报 年份：2008
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪...
相关搜索：
