搜索筛选:
搜索耗时3.4083秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 6 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:蔡巧明,, 来源:小学教学研究 年份:1995
~~...
[期刊论文] 作者:蔡巧明,, 来源:小学生作文辅导 年份:2019
现代信息技术与课程整合已成为当今教育的一个热点.现代教育技术运用于幼儿教育教学,使教师多了一个快捷获取优质资源的途径,让抽象的问题形象化,使枯燥的问题趣味化,使静止...
[期刊论文] 作者:蔡巧明, 来源:新课程·上旬 年份:2017
摘 要:体育活动对于幼儿早期发展有着非常重要的影响。重点分析目前户外区域性体育活动组织中存在的误区,进而提出具有针对性的优化策略。  关键词:幼儿户外;区域性;体育活动组织;优化策略  毋庸置疑,体育活动是幼儿园教育的重要教育方式,而丰富多彩的体育活动不仅......
[期刊论文] 作者:万雨石,龙世兵,蔡巧明,杨列勇, 来源:微电子学 年份:2019
研究了28 nm多晶硅栅工艺中Ge注入对PMOS器件的负偏压温度不稳定性(NBTI)的影响.在N阱中注入Ge,制作了具有SiGe沟道的PMOS量子阱器件.针对不同栅氧厚度和不同应力条件的器件,...
[期刊论文] 作者:闫翼辰,蔡小五,魏兰英,蔡巧明,曹杨,杜林, 来源:微电子学 年份:2020
基于40 nm CMOS工艺,研究了8 V MV NMOS器件的HCI-GIDL效应的优化.分析了增大LDD注入倾角、二次LDD注入由P注入变为As注入两种措施对电学特性的影响.测试结果表明,两种措施均...
[期刊论文] 作者:卢小雨,蔡巧明,龙世兵,张烨,张陶娜,杨菁国,张云香, 来源:微电子学 年份:2019
应力记忆工艺(SMT)通过在NMOS器件沟道中产生张应力,提高器件的电子迁移率,从而提升NMOS器件的性能.Si3N4层应力值、SiO2层厚度以及退火顺序等三种因素,均对NMOS器件的性能产...
相关搜索: