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[学位论文] 作者：薛忠营,
来源：山东大学 年份：2002
用射频磁控溅射法在玻璃、蓝宝石、硅、二氧化硅等衬底上成功制备出ZnO薄膜并研究了薄膜的发光特性及发光特性与制备条件、激发光波长、激发强度及热退火等因素的关系.通过对...
[期刊论文] 作者：薛忠营,张德恒,王卿璞,
来源：功能材料 年份：2003
随着人们对ZnO薄膜材料发光特性的不断深入,发现了不同能量位置的多个发光峰,本文对用不同方法制备的ZnO薄膜材料的发光谱、发光特性及其相应的发光机制、国内外研究动态进行...
[期刊论文] 作者：王卿璞,张德恒,薛忠营,
来源：半导体学报 年份：2003
用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜，在室温下进行光致发光,测量，观察到明显的紫光发射（波长为402nm）和弱的紫外光发射（波长为384nm）_,，紫光发射源于......
[期刊论文] 作者：薛忠营,张波,魏星,张苗,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2011
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的...
[期刊论文] 作者：张德恒,王卿璞,薛忠营,
来源：物理学报 年份：2003
用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光...
[期刊论文] 作者：刘赟, 薛忠营, 魏星, 李炜,
来源：微纳电子与智能制造 年份：2023
单晶硅片是半导体行业最重要的衬底材料,广泛应用于逻辑电路、存储器、射频器件与功率器件等电子器件。集成电路制造技术随摩尔定律的不断发展,半导体器件对硅片几何形貌与品质提出了越来越高的要求。本文梳理了硅片发展的历史,并对新一代450 mm硅片发展前景及......
[期刊论文] 作者：刘赟, 薛忠营, 魏星, 李炜,
来源：微纳电子与智能制造 年份：2022
直拉单晶硅是目前用于制造集成电路的主流衬底材料。随着集成电路的特征尺寸不断减小,对单晶硅衬底的晶体缺陷类型、密度、尺寸等提出日益苛刻的要求。因此,深入研究掌握直拉单晶硅晶体缺陷的形成机理并且快速准确地表征这些晶体缺陷,成为指导直拉单晶硅晶体生......
[期刊论文] 作者：王卿璞,张德恒,薛忠营,程兴奎,
来源：山东大学学报(理学版) 年份：2002
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复合中心的存在,使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度.样品经...
[会议论文] 作者：姜海涛,狄增峰,薛忠营,张苗,王曦,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
为了深入了解Ge经氢离子注入后的剥离特性，实验研究了Ge经注入剂量分别为1×1016/cm2、3×1016/cm2和5×1016/cm2的氢离子注入，并经过系列退火处理，并详细研究了氢离子注入...
[期刊论文] 作者：陈达,刘林杰,薛忠营,刘肃,贾晓云,,
来源：材料导报 年份：2012
利用RPCVD系统，在150mm（100）硅片衬底上了制备出高质量锗硅合金薄膜，研究了温度和锗烷流量对薄膜生长速率与合金中锗浓度的影响，并对薄膜进行了掺杂处理。分别利用高分辨透射电子......
[期刊论文] 作者：母志强,薛忠营,陈达,狄增峰,张苗,,
来源：半导体技术 年份：2013
基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变...
[期刊论文] 作者：王卿璞,张德恒,薛忠营,陈寿花,马洪磊,
来源：发光学报 年份：2003
利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向的氧化锌薄膜,用波长为300nm的光激发,观察到在446nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上...
[会议论文] 作者：陈达,刘林杰,薛忠营,魏星,狄增峰,张苗,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上，采用H离子注入，随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明，1)超薄SiGe层对H离子具有吸附的作用；2)随着退......
[期刊论文] 作者：刘伟,平云霞,杨俊,薛忠营,魏星,武爱民,俞文杰,张波,
来源：物理学报 年份：2021
本文研究了1 nm钛作为插入层的条件下,镍与锗锡合金在不同退火温度下的固相反应,比较了微波退火和快速热退火对镍锗锡化物形成的影响.研究结果表明:在微波退火300℃、快速热...
[期刊论文] 作者：文娇,刘畅,俞文杰,张波,薛忠营,狄增峰,闵嘉华,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2014
利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱(Raman spectrum)研究了由扩散引起Si/Si Ge/Si异质结中Si/Si Ge异质界面互混的现象。结果表明:应变弛豫前Si/Si Ge异质界面互混程度...
[期刊论文] 作者：魏星, 薛忠营, 武爱民, 王湘, 李显元, 叶斐, 陈杰, 陈,
来源：科学通报 年份：2010
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[会议论文] 作者：刘林杰,狄增峰,薛忠营,陈达,姜海涛,叶林,张苗,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对在Si衬底上利用减压化学沉积法外延生长的180nm厚的Si0.75Ge0.25进行He+离子注入和快速热退火.X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)测试结果表明，SiGe层中应力得到释放。原子力显微镜(AFM)结果表明，SiGe层的表面粗糙度无明显变化.透射电子显微镜(TEM)结果显示顶层锗硅......
[期刊论文] 作者：张波,陈静,魏星,武爱民,薛忠营,罗杰馨,王曦,张苗,,
来源：功能材料 年份：2010
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅（SOI：silicon-on-insulator）衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究。研究发现,在GaN...
[会议论文] 作者：卞剑涛,薛忠营,陈达,刘林杰,姜海涛,狄增峰,张苗,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
采用减压化学气相沉积(RPCVD)设备在Si衬底上外延生长了Ge薄膜材料，通过TEM、XRD、Raman和AFM等测试分析表明，Ge外延薄膜具有很好的晶体质量和0.17％的张应变，低温缓冲Ge薄层...
[期刊论文] 作者：平云霞,王曼乐,孟骁然,侯春雷,俞文杰,薛忠营,魏星,张苗,,
来源：物理学报 年份：2016
文章研究了在700℃退火下,铝插入层调制镍和硅锗合金反应形成单相镍硅锗化物的生长机理.透射电镜测试结果表明,镍硅锗薄膜和硅锗衬底基本达到赝晶生长;二次质谱仪和卢瑟福沟...
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