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[学位论文] 作者：裴笑竹,
来源：南京大学 年份：2013
AlN是一种重要的第三代半导体材料，它具有宽带隙、高热导率、高热稳定性、低电子亲和势、低介电常数及高压电响应等优良的物理化学性质，其一维纳米材料在场发射、光电子器件方......
[会议论文] 作者：裴笑竹,
来源：北京市统计学会 年份：2017
为实现统计改革创新应紧紧围绕科学发展主题,突出加快转变经济发展方式主线,以积极作为的服务意识,开拓思路,善抓机遇,强化责任,狠抓落实,强化经济社会运行监测分析,善于在复杂局势中科学准确地把握经济社会发展趋势,为党委政府制定宏观调控政策提供可靠依据,更......
[学位论文] 作者：裴笑竹,
来源：南京大学 年份：2018
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[会议论文] 作者：裴笑竹,沈利英,王俏辉,于海涛,
来源：中国化学会第六届有机化学学术会议 年份：2009
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[期刊论文] 作者：裴笑竹,赖宏伟,张永亮,蔡婧,吴强,王喜章,
来源：无机化学学报 年份：2014
考察了在600℃以下通过反应AlCl3＋NH3→AlN＋3HCl制备AlN纳米锥的规律，结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥，当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500～600℃温区内制得...
[期刊论文] 作者：裴笑竹,赖宏伟,张永亮,蔡婧,吴强,王喜章,,
来源：无机化学学报 年份：2014
考察了在600℃以下通过反应AlCl3+NH3→AlN+3HCl制备AlN纳米锥的规律,结果表明在500℃时仍可获得AlN纳米锥,当温度为480℃时则无氮化物生成。场发射测试显示在500~600℃温区...
[会议论文] 作者：钱维金;赖红伟;裴笑竹;吴强;王喜章;胡征;,
来源：中国化学会第28届学术年会 年份：2012
纳米冷阴极材料应用前景广阔,备受人们关注.[1] AlN 具有较小的电子亲和势,其一维纳米材料具有较好的场发射性能.近年来,我们在AlN 纳米结构制备与性能表征等方面开展了...
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