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[期刊论文] 作者：褚幼令,盛篪,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺饵（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测定了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。......
[期刊论文] 作者：褚幼令,王宗欣,
来源：半导体学报 年份：1993
用微波光电导谱仪测量了一些ｐｎ结样品的微波光电导谱（ＭＰＣＳ），对于每一块样品光分别从ｐ面和ｎ面入射，因而可以测得不同的谱；讨论了从ｐｎ结的ＭＰＣＳ中计算ｐ区，ｎ区少子扩散长度的方法，并用计算机拟合得到这些......
[期刊论文] 作者：褚幼令,王宗欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品...
[期刊论文] 作者：褚幼令,王宗欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度...
[期刊论文] 作者：王宗欣,褚幼令,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。数值计算结果表明,薄片的少子光电导衰退曲线可以用这种解的一次模和二次模之和来表示。可以使用这些...
[期刊论文] 作者：褚幼令,王挚平,
来源：大学物理 年份：1998
通过力传感器和距离传感器测量弹簧振动的力学量，并用计算机分析弹簧振子各力学量之间的关系。实现对弹簧振动特性的实时测量，为深入认识机械振动的特性提供了有用的实验手段。......
[期刊论文] 作者：王宗欣,褚幼令,
来源：物理 年份：1992
...
[期刊论文] 作者：褚幼令,赵天相,
来源：物理实验 年份：2000
通过ＡＤ５９０温度传感器测量对流冷却规律，经ＵＬＩ接口与计算机连接，用特定的软件ＴＥＭＰ进行曲线拟合，验证了冷却规律，并在不同的冷却条件下观察冷却规律的变化。...
[期刊论文] 作者：王宗欣,褚幼令,
来源：半导体学报 年份：1996
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光是导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法，并且由此算......
[期刊论文] 作者：王宗欣,褚幼令,
来源：半导体学报 年份：1999
用微波无接触法测量了ＺｎＳｅ外延层和两种ＺｎＳｅ多量子阱样品的横向磁阻，在低磁场时，这三种样品都表现了负磁阻，并且也可以用Ｋｈｏｓｌａ和Ｆｉｓｃｈｅｒ的半经验表示式进行拟合，实验还发现了在两层ＺｎＳｅ超晶格之间的Ｚｎ＋Ｇａ单原子......
[期刊论文] 作者：王宗欣,褚幼令,
来源：半导体学报 年份：1996
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光电导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法，并且由此算得......
[期刊论文] 作者：褚幼令,陈乃东,王挚平,
来源：大学物理 年份：1998
通过力传感器和距离传感器测量弹簧振动时的力学量，并用计算机分析弹簧振子各力学量之间的关系，实现对弹簧振动特性的实时测量，为深入认识机械振动的特性提供了有用的实验手段......
[期刊论文] 作者：褚幼令,王宗欣,许瓯,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
设计了一种微波介质波导探头用于无接触测量半导体薄片样品的霍尔迁移率。它具有体积小、被测薄片样品大小不受限制等优点。在直流磁场变化时,无接触测试了一组n型硅薄片样品...
[期刊论文] 作者：褚幼令,汪根荣,朱景兵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文报导了用微波介质波导反射法无接触测量半导体电阻率的实验装置.利用该装置测量了一组样品的电阻率与温度(100～500K)关系,讨论了载流子迁移率与温度关系和Dorkel的半经验...
[期刊论文] 作者：褚幼令,赵天相,陈元杰,,
来源：物理实验 年份：2000
通过AD590温度传感器测量对流冷却规律,经ULI接口与计算机连接,用特定的软件TEMP进行曲线拟合,验证了冷却规律,并在不同的冷却条件下观察冷却规律的变化....
[期刊论文] 作者：褚幼令,王宗欣,刘瑞林,左文德,
来源：半导体学报 年份：1990
当半导体薄片同时受到微波和光照射时,通过样品的微波传输系数与光的波长有关,当光的波长连续地变化时,微波传输系数也连续地变化。本文分析了在半导体薄片中的少子扩散长度...
[会议论文] 作者：褚幼令,王宗欣,陈乃东,唐剑平,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该文介绍了硅薄片少子寿命曲线的计算机实时测量系统，就其基本原理、系统设计、可行性等方面进行了分析。该方法的提同，改变了由于用示波器观察少子寿命时的显示不稳定、噪声信......
[期刊论文] 作者：褚幼令,王宗欣,刘瑞林,左文德,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
This paper presents a new method of analysis and measurement. When a semiconductor wafer is illuminated by microwave and light, the microwave transmission coeff...
[期刊论文] 作者：褚幼令,盛篪,王昕,龚大卫,王宗欣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
用分子束外延技术在ｐ型Ｓｉ衬底上生长成了Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层超晶格和掺铒（Ｅｒ）ＳｉＯｘ外延层，用无接触法测量了它们的横向磁阻，并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。Growth of Si / Si1-xGex st......
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