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[会议论文] 作者：赵艳黎,李诚瞻,蒋华平,许恒宇,,
来源：大功率变流技术 年份：2015
将n型4H-Si C(0001)偏4°外延材料在1 200℃、1 250℃、1 300℃和1 350℃等4种温度条件下进行高温热氧化,生成SiO2薄膜;通过测试MOS电容结构的C-V和I-V特性,对Si O2/SiC界面...
[期刊论文] 作者：万彩萍,田红林,王世海,周钦佩,许恒宇,
来源：智能电网(汉斯) 年份：2018
离子注入工艺作为SiC MOSFET/Diode器件制造过程的重要工艺过程,离子注入后激活退火的温度直接影响注入后晶格损伤的修复效果以及离子激活的程度,离子注入和激活退火一直是研...
[期刊论文] 作者：周钦佩,张静,夏经华,许恒宇,万彩萍,韩锴,,
来源：半导体技术 年份：2017
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5...
[期刊论文] 作者：万彩萍,王影杰,张文婷,王世海,周钦佩,许恒宇,
来源：智能电网(汉斯) 年份：2018
碳化硅(SiC)材料因其独特的物理和化学特性,使得SiC器件在高压大功率领域具有巨大的潜力,但是由于碳元素的存在,SiC MOS器件的栅氧化层可靠性问题一直制约SiC MOSFET器件的发...
[期刊论文] 作者：裴紫微,陈晨,杨霏,许恒宇,张静,万彩萍,刘金彪,李俊峰,金,
来源：智能电网(汉斯) 年份：2015
碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有...
[期刊论文] 作者：赵妙,许恒宇,杨谦,吴昊,杨霏,杨成樾,丁武昌,金智,刘新宇,
来源：智能电网(汉斯) 年份：2014
碳化硅电力电子器件在高温、高压环境下的应用需求,对封装技术提出更高的要求。本文从封装方式、封装基本材料、贴片材料和键合材料选择几个方面,介绍适用于碳化硅电力电子器...
[期刊论文] 作者：夏经华,桑玲,查祎英,杨霏,吴军民,王世海,万彩萍,许恒宇,
来源：微纳电子技术 年份：2020
提高栅介质的界面质量和可靠性一直是功率碳化硅金属氧化物半导体(MOS)器件研发的核心任务之一.基于原子层沉积(ALD)技术,在n型4H-SiC上沉积了Al基高介电常数(k)栅介质材料Al...
[期刊论文] 作者：王嘉铭,钮应喜,裴紫微,赵妙,杨霏,李俊杰,李俊峰,张静,许恒宇,
来源：智能电网 年份：2016
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[期刊论文] 作者：韩林超,申华军,刘可安,王弋宇,汤益丹,白云,许恒宇,吴煜东,刘新宇,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The Ni/Ti/Ni multilayer ohmic contact properties on a 4H-SiC substrate and improved adhesion with the Ti/Au overlayer have been investigated. The best specific...
[期刊论文] 作者：韩林超,申华军,刘可安,王弋宇,汤益丹,白云,许恒宇,吴煜东,刘新宇,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
Tung’s model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different...
[期刊论文] 作者：王嘉铭,钮应喜,裴紫微,赵妙,杨霏,李俊杰,李俊峰,张静,许恒宇,金智,刘新宇,,
来源：智能电网 年份：2016
碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier...
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