搜索筛选:
搜索耗时3.3746秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 11 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：谢茂海,
来源：中国电子商务 年份：2012
21世纪的今天，随着市场经济的发展，人力资源被越来越多的企业作为其核心竞争力的关键和竞争优势的源泉。如何获得人才、用好人才成为企业界的难题。其中最为复杂和固难的就是企......
[期刊论文] 作者：徐仲英,谢茂海,
来源：半导体学报 年份：1990
用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算...
[期刊论文] 作者：谢茂海,高季林,葛惟锟,周洁,
来源：半导体学报 年份：1990
本文提出了一种新的方法──“三脉冲DLTS”法,用于测量深能级的热俘获截面,目的在于消除使测量产生很大误差的边缘区效应的影响,最后用这种方法,对AlGaAs:Si中DX—中心的电...
[期刊论文] 作者：徐仲英,谢茂海,徐强,郑宝真,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1990
用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算...
[会议论文] 作者：王子砚,郭欣,李含东,黄泰伦,王宁,谢茂海,
来源：中国物理学会2011年秋季学术会议 年份：2011
利用分子束外延技术(MBE),在硅(111)衬底面上成功制备出一种由新兴的三维(3D)拓扑绝缘体材料硒化铋(Bi2Se3)与传统能带半导体材料硒化铟(In2Se3)交替构成的超晶格结构 (Superlattices)....
[期刊论文] 作者：邓丙成,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤,
来源：半导体学报 年份：2004
利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶层7个原子层的详...
[期刊论文] 作者：邓丙成,陈滢,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤,
来源：物理学报 年份：2004
低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明，该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接，它们之间的垂直距离为0.171n...
[期刊论文] 作者：邓丙成,陈滢,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤,
来源：物理学报 年份：2001
低能电子衍射 (LEED)对 6H SiC(0 0 0 1) (3× 3)R30°表面的研究结果表明 ,该表面有 1/3单层的Si原子吸附在T4 空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接 ,它们之间的垂...
[期刊论文] 作者：梁基本,孔梅影,段维新,朱战萍,谢茂海,朱世荣,曾一平,张学渊,,
来源：半导体情报 年份：1991
用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽2...
[会议论文] 作者：刘红军,陈惊雷,俞弘毅,杨方,焦璐,刘贵斌,高春雷,贾金峰,姚望,谢茂海,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
二维过渡金属硫族化合物(MX2,M=Mo,W,X=S,Se,Te)是近年来研究得非常广泛的类似于石墨烯的层状化合物,其同层分子之间有着很强的共价键链接,相邻层之间只存在着非常弱的范德华力.由于其特殊的电子结构,单分子层过渡金属硫族化合物不仅提供了一个研究基础物理理论......
[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,孙殿照,段维新,谢茂海,李立康,梁基本,郑海群,朱世荣,黄运衡,,
来源：半导体情报 年份：1991
利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。Us...
相关搜索：
