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[期刊论文] 作者：谭礼同,,
来源：材料科学与工程 年份：1984
自1952年提出A~NB~((?)-N)的化合物具有半导性以来,极大地促进了对半导体材料的制备和研究。随着半导体器件向超小型、高速、高频大功率、耐高温、耐辐射的方向发展,提出了...
[期刊论文] 作者：谭礼同,
来源：半导体光电 年份：2004
由于磷化铟是一种直接跃迁型半导体,有较高的电流峰谷比和较大的热导。它比硅和砷化镓等常用半导体有更为优越的性能,可以在更高的频率及更高的温度下工作,在微波及光电器件...
[期刊论文] 作者：徐涌泉,方敦辅,谭礼同,,
来源：稀有金属 年份：1989
研究了电中性和电活性元素双掺对高压液封直拉(LEC)法生长InP晶体位错密度的影响。实验结果表明,Ga、Al、B等电中性元素均可降低材料的位错密度,它与电活性元素Sn、S、Zn协同...
[期刊论文] 作者：方敦辅,徐涌泉,杨金华,谭礼同,史日华,,
来源：上海冶金 年份：1980
砷化镓单晶衬底材料的完整性,是衡量晶体质量的重要参数之一,这对光电器件更有其特殊意义。一般用 LEC 法制备低位错 GaAs 单晶,要使用 Dash 技术和理想的热场,而且成品率较...
[期刊论文] 作者：谭礼同,周景龙,方敦辅,姚以珍,
来源：稀有金属 年份：1989
InP 单晶衬底已广泛用于制备长波长光纤通信的激光器和探测器。除了一般的 n 型衬底材料以外,p 型材料的使用也受到重视并获得成功。因为锌在 InP 中具有杂质效应,所以掺锌生...
[期刊论文] 作者：方敦辅,徐涌泉,相德(钅久),谭礼同,
来源：稀有金属 年份：1990
本文论述了LEC-InP单晶生长过程中出现孪晶现象的机理,实验论证了在大多数情况下孪晶面是由棱上{111}小平面发展而成的。用选择生长方向的方法难以消除此现象,应严格控制多晶...
[期刊论文] 作者：谭礼同,章敏权,胡雨生,方敦辅,,
来源：稀有金属 年份：1982
采用高压温度梯度冷凝法,由元素锢和红磷直接合成纯度磷化铟多晶。每次合成1小时,可得多晶300克。典型纯度磷化铟多晶的电学性质为: n_77K=3.79～15×10~15/cm~3 μ_77K=1·94～2...
[期刊论文] 作者：邓汝温,史启桢,陈歌实,谭礼同,,
来源：兰州大学学报 年份：1963
1.研究CoSo_4-MnSO_4-H_2O三元体系在30°和 60°的溶解度。 2.随着加入另一个盐,CoSo_4或MnSO_4溶解度都逐渐降低。 3.体系生成两种有限固溶体。 4.共饱和点的组成在30°为C...
[期刊论文] 作者：宫世明,赵惠玲,刘湘林,王洪祥,谭礼同,
来源：电子显微学报 年份：1987
本文概述了电子探针显微定量分析及对标样的要求。介绍了Fe、Sn、Ge、GaAs、InP、Lu_3Fe_5O_(12)、Yb_3Fe_5O_(12)标样的制备和有关参数。This article provides an overvi...
[期刊论文] 作者：王德宁,薛忠发,李伟权,谭礼同,何梁昌,
来源：冶金自动化 年份：1980
一、引言 由于微波、激光、发光器件发展,促进了砷化镓衬底材料发展,而液封直拉法具有成品率高,规模大等优点使它日益成为拉制砷化镓的一种重要方法。 但是如文献所指出的那...
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