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[学位论文] 作者:贾博雍,,
来源:北京邮电大学 年份:2010
纳米半导体材料,尤其是电子和空穴在三个空间方向上均为运动受限的零维量子点和量子环,其电子和光学特性与体材料有着很大的差别,这使得基于量子点和量子环的光电子器件,在近...
[期刊论文] 作者:贾博雍,俞重远,刘玉敏,韩利红,赵伟,,
来源:北京邮电大学学报 年份:2010
为分析量子环纳米材料的电子结构特性,在有效质量包络函数理论框架内,通过求解单带薛定谔方程,计算了在无磁场和有磁场时,InAs/GaAs二维量子环中电子的基态能级,分析了能级随...
[期刊论文] 作者:贾博雍,俞重远,刘玉敏,韩利红,姚文杰,冯昊,叶寒,,
来源:Chinese Physics B 年份:2011
Electronic structures of the artificial molecule comprising two truncated pyramidal quantum dots vertically coupled and embedded in the matrix are theoretically...
[期刊论文] 作者:叶寒,芦鹏飞,俞重远,姚文杰,陈智辉,贾博雍,刘玉敏,,
来源:Chinese Physics B 年份:2010
We present a theory to simulate a coherent GaN QD with an adjacent pure edge threading dislocation by using a finite element method.The piezoelectric effects an...
[期刊论文] 作者:刘玉敏,俞重远,贾博雍,徐子欢,姚文杰,陈智辉,芦鹏飞,韩利红,,
来源:Chinese Physics B 年份:2009
This paper presents a finite element calculation for the electronic structure and strain distribution of self-organized InAs/GaAs quantum rings.The strain distr...
[期刊论文] 作者:冯昊,俞重远,刘玉敏,芦鹏飞,贾博雍,姚文杰,田宏达,赵伟,徐子欢,,
来源:物理学报 年份:2010
量子点的光学特性与量子点的大小均匀性、密度、内部应变以及隔离层的厚度等有密切关系.文中从理论角度定量研究了GaNXAs1-X应变补偿层对InAs/GaAs量子点生长质量的改善作用,...
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