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[期刊论文] 作者：赵佰军,
来源：现代化农业 年份：1994
小麦喷施多元复合液体肥与尿素不同效果分析赵佰军（黑龙江省北安国营农场管理局科研所）１试验材料与处理“北丰”牌多元复合液体肥由黑龙江省新华农场提供，尿素为大庆化肥厂生产的......
[学位论文] 作者：赵佰军,,
来源：吉林大学 年份：2004
ZnO 材料是一种宽禁带的多功能半导体光电材料，在许多领域都具有广泛的用途。例如，可用于制作紫外发光管和激光器、紫外探测器、高频表面声波器件、透明导电电极和声光换能器等......
[期刊论文] 作者：赵佰军,
来源：现代农业科技 年份：2017
摘要 采用大区对比法，进行了黑龙江垦区北部应用玉米育苗移栽覆膜滴灌技术效果研究。结果表明，育苗移栽覆膜滴灌处理可以有效地增加玉米产量，提升玉米收获品质。覆膜滴灌处理产量虽高，但成本较高、经济效益较低。因此，如何降低生产成本至关重要。 关键词 玉米；育苗......
[期刊论文] 作者：李筱静,赵佰军,,
来源：现代化农业 年份：2012
东农冬麦1号在黑龙江省试种成功，打破了黑龙江省不能种植冬小麦的禁锢．对黑龙江省小麦生产和种植业结构调整起了至关重要的作用。黑龙江省地处高寒地区，冬季漫长，气温低至-35～-45......
[期刊论文] 作者：李树春,赵佰军,王伟丽,李筱静,,
来源：现代化农业 年份：2012
主要介绍了纤维亚麻品种迪亚娜的选育经过、主要特征特性及栽培技术。亚麻品种迪亚娜引自法国,经过黑龙江省农垦总局北安管理局农场试验站多年多点试验,该品种表现高产稳产、...
[期刊论文] 作者：赵佰军,缪国庆,元金山,朱景义,杨树人,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1997
研究低温生长ＧａＮ过渡层（缓冲层）在ＡＰ－ＭＯＣＶＤ生长ＧａＮ材料过程的作用，探讨了过渡层的生长温度、时间、氮化时间等参数对ＧａＮ材料晶体质量的影响，通过对过渡层的特性参数的分析、优化、获得了Ｘ射线双晶衍......
[期刊论文] 作者：赵佰军,杨树人,缪国庆,朱景义,元金山,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
报道了原子力显微镜对ＭＯＶＰＥ生长ＧａＮ材料过渡层表面结构的观察，重点分析了氮化，退火前后过渡层结构变化的原因及其对外延生长晶体质量的影响，探讨了不同条件下ＧａＮ成核模式折变化，对ＧａＮ材料的生长......
[会议论文] 作者：杨小天,刘博阳,杜国同,赵佰军,张源涛,刘大力,杨树人,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
我们在不同的温度下在c面蓝宝石衬底上生长了氧化锌的缓冲层,并在此基础上继续生长出了高质量的氧化锌薄膜.X射线衍射(XRD)显示,缓冲层的引入对(002)ZnO的衍射峰强度有着非常大的影响,并会减小薄膜内部的张应变,从而有效的提高薄膜的晶体质量.样品的光荧光(PL)......
[会议论文] 作者：刘博阳,杜国同,杨小天,赵佰军,张源涛,刘大力,杨树人,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文研究了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长氧化锌薄膜过程中锌源温度对薄膜生长和质量的影响.使用X射线衍射谱(XRD)、室温光荧光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)对所生长氧化锌薄膜的晶体质量、光学特性和表面形貌进行了比较与研究.研究显示锌源温度为-19℃时所......
[期刊论文] 作者：张源涛,杨小天,赵佰军,刘博阳,杨天鹏,李万成,刘大力,杨树,
来源：半导体光电 年份：2004
采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1 h.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.光电子能谱(XPS)分...
[期刊论文] 作者：马艳,杜国同,杨树人,李正庭,李万成,杨天鹏,张源涛,赵佰军,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
采用低压MOCVD方法,在(0001)Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜.研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响.增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高...
[期刊论文] 作者：李万程, 杜国同, 杨小天, 刘博阳, 张源涛, 赵佰军, 姜秀,
来源：高等学校化学学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：李万程,杜国同,杨小天,刘博阳,张源涛,赵佰军,姜秀英,
来源：高等学校化学学报 年份：2004
用MOCVD方法在Al2O3衬底c面生长ZnO薄膜, 用XPS对薄膜进行了测量.结果显示, 与O1s和Zn2p态相比, Zn3d态有更大的化学位移, 可用于更有效地分析ZnO薄膜变化; 随着Zn3d+Zn4s态...
[期刊论文] 作者：王金忠,杨小天,赵佰军,张源涛,刘大力,王海嵩,杨树人,杜国,
来源：半导体光电 年份：2002
利用等离子体增强型MOCVD设备,在C面蓝宝石上生长出了C轴取向的未退火、生长后一次退火和生长过程中多次退火的ZnO薄膜样品,并通过X光衍射和X光电子能谱对样品进行了表征,结...
[期刊论文] 作者：王金忠,杜国同,马艳,赵佰军,杨晓天,张源涛,刘大力,李万程,
来源：发光学报 年份：2003
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜.通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈11 20〉单...
[期刊论文] 作者：刘大力,杜国同,王金忠,张源涛,张景林,马艳,杨晓天,赵佰军,
来源：发光学报 年份：2004
通过MOCVD方法生长的ZnO薄膜一般为富锌生长,呈n型电导,要想得到高阻或低阻p-ZnO薄膜需要对其进行掺杂施主或受主杂质.主要研究在生长过程中通过NH3对ZnO薄膜进行氮掺杂的情...
[期刊论文] 作者：赵佰军,杨洪军,王新强,杨晓天,刘大力,马艳,张源涛,刘博阳,
来源：发光学报 年份：2004
使用等离子体辅助MOCVD系统在金刚石/硅衬底上成功地制备了氧化锌多层薄膜材料,通过两步生长法对薄膜质量进行了优化.XRD测试显示优化后的样品具有c轴的择优取向生长,PL谱测...
[期刊论文] 作者：王金忠,杜国同,马艳,赵佰军,杨晓天,张源涛,刘大力,李万程,
来源：发光学报 年份：2004
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜.通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈11 20〉单...
[期刊论文] 作者：刘博阳,杜国同,杨小天,赵佰军,张源涛,高锦岳,刘大力,杨树,
来源：液晶与显示 年份：2004
介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射(XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所...
[期刊论文] 作者：张源涛,杨小天,赵佰军,刘博阳,杨天鹏,李万成,刘大力,杨树人,,
来源：半导体光电 年份：2020
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