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[期刊论文] 作者：赵智彪,,
来源：集成电路应用 年份：2009
低压化学气相沉积（LPCVD）是化学气相沉积（CVD）的一个分支，同时也是半导体集成电路制造工艺中必不可少的重要工序之一。它主要用于多晶硅及其原位掺杂、氮化硅、氧化硅以及钨化硅等......
[学位论文] 作者：赵智彪,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2002
本文研究了GaN和AlGaN/GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其特性，并对相关器件工艺中的若干重要问题如刻蚀、欧姆接触等，进行了初步探索。在前人工作的基础上，进一步优化了......
[期刊论文] 作者：赵智彪,,
来源：集成电路应用 年份：2008
随着半导体器件特征尺寸的不断微缩（Scaling）,大量的新材料、新技术、新工艺以及新结构在集成电路的设计和制造中不断涌现。本文对近年来在100纳米以下半导体逻辑电路中普遍使...
[期刊论文] 作者：赵智彪,
来源：小作家选刊(小学生版) 年份：2004
在8岁的时候,我就发现了著名的“相对论”。你也许不相信,但事实的确如此。有一天下午,我正在看动画片。看得津津At the age of 8, I discovered the famous “theory of...
[期刊论文] 作者：李伟,赵智彪,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
用ＲＦ Ｐａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ材料，它的Ｘ射线衍射半峰宽为３３５秒，７７Ｋ下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，们错密度约为７．３×１０＾８ｃｍ＾－２。用Ｓｉ作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖１０＾１７－１０＾１９ｃｍ＾－３的......
[期刊论文] 作者：赵智彪,张慧,,
来源：计算机辅助设计与图形学学报 年份：2018
为了构建带有平面的网格简化模型模拟室内场景,提出了一种快速网格建模算法.首先通过基于热传导原理的平面提取算法,快速、鲁棒地从有噪声的网格中重建出水平和竖直方向的平面部分;然后使用QEM算法对网格进行简化处理,同时在简化过程中通过对连接条件的判断避免......
[期刊论文] 作者：赵智彪,李伟,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
发展了一种显示与估算氮化镓（GaN)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用GaN采用射频等离子体辅助的分子束外延技术（RF-plasma MBE)生长，腐蚀液为KOH水溶液...
[期刊论文] 作者：赵智彪,许志,利定东,
来源：半导体技术 年份：2004
本文概述了低介电常数材料(LowkMaterials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工...
[会议论文] 作者：李伟,李爱珍,赵智彪,齐鸣,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：赵智彪,齐鸣,朱福英,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同Ga...
[期刊论文] 作者：赵智彪,齐鸣,朱福英,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN).通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶...
[期刊论文] 作者：赵智彪,李伟,祝向荣,齐鸣,李爱珍,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
发展了一种显示与估算氮化镓 (Ga N)位错密度的光辅助湿法刻蚀与原子力显微镜相结合的方法。所用 Ga N采用射频等离子体辅助的分子束外延技术 (RF-plasma MBE)生长 ,腐蚀液为...
[会议论文] 作者：张永刚,李爱珍,齐鸣,李伟,赵智彪,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：赵智彪,齐鸣,李爱珍,李伟,祝向荣,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
对采用分子束外延技术生长的氮化镓进行位错密度的分析,目前的报道并不多.本文介绍了采用光辅助湿法刻蚀氮化镓后进行原子力显微镜(AFM)的分析,可以估算氮化镓的位错密度.并采用X-ray衍射的二维三轴maping图谱(TDTAM)计算位错密度的方法对估算结果进行验证,得到......
[会议论文] 作者：齐鸣,李爱珍,李伟,赵智彪,张永刚,陈建新,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：李伟,赵智彪,郑燕兰,李存才,杨全魁,胡建,齐鸣,李爱珍,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂，所得载流子浓度可覆盖......
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