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[学位论文] 作者：邱于珍,,
来源：华侨大学 年份：2004
相变存储器是一种新型的非易失性存储器,利用硫系化合物的晶态和非晶态的电阻率差异实现存储的。它具有高密度、高可靠性、低功耗、低成本、擦写速度快、与CMOS技术兼容性好...
[期刊论文] 作者：王可,徐展,黄亚,邱于珍,董硕,,
来源：Science China Materials 年份：2016
本文研究了溅射制备的三明治结构Ta/Co_(60)Fe_(20)B_(20)/MgO合金薄膜的磁、热、电及晶化动力学特性.10–100 nm厚度的沉积态合金薄膜单位面积磁化强度和厚度呈现了极好的线...
[会议论文] 作者：黄亚,徐展,董硕,邱于珍,王可,
来源：第九届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2016
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[会议论文] 作者：王可,邱于珍,黄亚,陈若飞,吴雪峰,陈传文,
来源：第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2014
垂直磁超薄膜及多层膜系由于在基础磁学与高密度磁存储领域的研究和应用一直是磁学热点.其中,垂直Co/Pt体系由于对脉冲电流及磁场驱动的畴壁移动研究提供了理想的模型系统而...
[期刊论文] 作者：黄亚,徐展,邱于珍,陈传文,庄凤江,苏少坚,王可,,
来源：磁性材料及器件 年份：2016
以不同功率溅射制备了CoFeB合金薄膜样品并在高真空下退火处理。发现低功率生长的薄膜始终具有磁各向同性，而高功率生长的薄膜随着退火温度的升高，由起始的单轴磁各向异性逐渐......
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