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[期刊论文] 作者：郁伟中,
来源：大学物理 年份：1998
利用高校近工物理实验仪器－正电子湮没寿命谱仪，设计了一个固体物理中用于诊断微晶和非晶结构的教学实验。...
[期刊论文] 作者：郁伟中,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：郁伟中,
来源：物理 年份：1991
用正电子代替电子作为人射束流可组成新的显微镜．正电子从固体表面的重发射受表面和表面层下空位型缺陷的影响，因此正电子显微镜可用于无损探测扣研究表面层下的缺陷．...
[期刊论文] 作者：郁伟中,
来源：第七届全国磁学理论研讨会 年份：2001
正电子湮没是研究材料的微缺陷和相变的灵敏工具,本文将分析无任何化学反应的静磁场之下用2γ和3γ探测得到的正电子寿命谱....
[会议论文] 作者：郁伟中,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
该文综述了慢正电子源和慢化体的现状以及慢化正电子的四种可能方法。...
[期刊论文] 作者：郁伟中,
来源：物理 年份：1999
在中国核物理学会的关心下，全国第七届正电子湮没学术会议于１９９９年４月７—１１日在福建省泉州市华侨大学召开．大会收到论文４７篇，涉及的课题有：（１）慢正电子束流；（２）金属和合金；（３）半导全；（４）聚合物和沸石；（５）核固体......
[会议论文] 作者：郁伟中,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
在清华大学物理系的诺贝尔奖物理实验室,我们新开了用正电子湮没寿命谱仪和扫描隧道显微镜研究固体中微小缺陷等高等物理实验.我校的高等物理实验面对4年级学生和研究生,原有...
[会议论文] 作者：郁伟中,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：郁伟中,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：郁伟中,王静,
来源：核技术 年份：2000
用正电子湮没寿命方法和超声衰减方法对金属铝合金和钢疲劳样品进行了测量。结果表明，在疲劳加载次数较小时，正电子参数将随着疲劳加载次数的增加而增加；但当疲劳加载次数足够大......
[期刊论文] 作者：魏龙,郁伟中,
来源：原子核物理评论 年份：2000
简要介绍了广泛应用于表面科学的灵敏核探针－慢正电子束设备的原理、构造和应用，阐述了北京慢正电子束流装置的设计原理和性能，讨论了北京慢正电子束流装置今后的研究前景。......
[期刊论文] 作者：郁伟中,翁自立,
来源：核技术 年份：1993
用正电子湮没寿命谱方法测量了GaAs中的正电子迁移率,在低电场(小于300Vcm~(-1))和室温294K条件下测得μ_+=880±40cm~2V~(-1)s~(-1)。...
[期刊论文] 作者：郁伟中,孙翼展,
来源：全国第七届正电子湮没学术会议 年份：1999
研究人员引入最新的基于Laplace变换的大型正电子寿命解谱程序CONTIN(PALS2)。该文对该程序的原理和使用作简要说明，在实验基础上，对用CONTIN(PALS2)程序计算的结果进行了分析，...
[期刊论文] 作者：李桂芝,郁伟中,
来源：高分子材料科学与工程 年份：1997
用正电子湮没技术（ＰＡＴ）研究了具有两各交联度的轻度交联ＰＭＭＡ试样的结构转变，包括玻璃化墨迹及次级弛豫过程（β转变），交联度对轻度交联ＰＭＭＡ的β转变无影响，交联度较大试样的Ｔｇ较高，用ＰＡＴ测得的Ｔｇ比用动态......
[会议论文] 作者：吴奕初, 郁伟中,,
来源： 年份：2004
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[期刊论文] 作者：郁伟中,袁佳平,
来源：物理 年份：1999
综述了半导体在金刚石中的正电子迁移率的６种不同测量方法（角关联方法，多普勒方法，寿命谱方法，注入剖面法，扩散常数法和慢正电子法），给出了自１９５７年以来国内外的所有测量数据，并对数据进行......
[期刊论文] 作者：薛清,郁伟中,等,
来源：物理实验 年份：2002
报道了一种从非晶硅薄膜中生长纳米硅晶粒的方法。含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后，用拉曼散射和X射线衍射技术对样品进行分析。实验结果表明：纳米硅晶粒不但能在非晶硅薄......
[期刊论文] 作者：郁伟中,杨鹏远,
来源：核技术 年份：1998
用计算机模拟的方法获得正电子在半导体材料的迁移率，讨论了正电子有效质量，杂质浓度和温度对正电子迁移率的影响。...
[期刊论文] 作者：陈红民,郁伟中,等,
来源：北京同步辐射装置年报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：郁伟中,袁佳平,
来源：物理 年份：2001
正电子湮没技术是一种研究材料的微观缺陷和相变的灵敏工具，在通常的正电子谱仪中，正电子能量为MeV量级，在样品中注入深度比较深(～100μm)，主要研究材料体内的平均缺陷密度.慢正电......
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