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[期刊论文] 作者：郑新和,渠波,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：半导体学报 年份：2004
使用四圆衍射仪和双晶衍射技术，分析了SiC体单晶的结构和极性．SiC单晶体由化学气相淀积法获得．六方｛1015｝极图证明了该单晶结构为6H型．三轴晶衍射中的ω模式衍射强度的差异判定了该......
[会议论文] 作者：郑新和;渠波;王玉田;杨辉;梁骏吾;,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
采用X射线双晶衍射与三轴晶衍射技术分析了立方GaN/GaAs(001)外延层的结构特性。GaN(002)、(004)晶面的结构振幅相近，但(002)晶面的X射线双晶摇摆曲线的积分强度是(004)的5倍...
[期刊论文] 作者：郑新和,渠波,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：半导体学报 年份：2001
使用四圆衍射仪和双晶衍射技术 ,分析了 Si C体单晶的结构和极性 .Si C单晶体由化学气相淀积法获得 .六方 { 10 15 }极图证明了该单晶结构为 6 H型 .三轴晶衍射中的ω模式衍...
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