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[学位论文] 作者：郑若川,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
RPCVD（减压化学气相淀积）是目前生长SiGe/Si异质结薄膜材料的主流技术之一。在SiGe的RPCVD生长过程中，硅烷、二氯二氢硅、锗烷、氢气等反应物均为气体，其在反应室内流场分布情况...
[期刊论文] 作者：镇海,郑若川,
来源：韶关学院学报 年份：1982
这是三四十年前的旧作,现征得作者的同意,予以发表.发表时作者、编者未作增删....
[期刊论文] 作者：戴显英,郭静静,邵晨峰,郑若川,郝跃,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2013
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计．采用FLUENT软件，对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟．对生长表......
[期刊论文] 作者：戴显英,王琳,杨程,郑若川,张鹤鸣,郝跃,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2012
提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅（SOI）的新方法，并阐述了其工艺原理．将直径为100mm（4英寸）的SOI晶圆片在曲率半径为0．75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲状态下的SOI晶圆片在250......
[期刊论文] 作者：戴显英,杨程,宋建军,张鹤鸣,郝跃,郑若川,,
来源：物理学报 年份：2012
在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带E(k)-k关系的基础上,研究得到了(001),(101),(111)面应变Ge/Si_(1-x)Ge_x沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,...
[期刊论文] 作者：戴显英,杨程,宋建军,张鹤鸣,郝跃,郑若川,,
来源：物理学报 年份：2012
基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si_(1-x)Ge_x价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si_(1-x)Ge_x虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型...
[期刊论文] 作者：戴显英,郑若川,郭静静,张鹤鸣,郝跃,邵晨峰,吉瑶,杨程,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2012
基于SiGe材料化学气相淀积（CVD）生长原理，针对减压化学气相淀积（RPCVD）系统，建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型，采用Fluent软件对流量、压强、基座转速......
[会议论文] 作者：李志,戴显英,查冬,王晓晨,王琳,付毅初,宁静,杨程,郑若川,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上，通过求解泊松方程，建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型，其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明，当Ge沟道长度......
[会议论文] 作者：戴显英,付毅初,杨程,郑若川,王琳,张鹤鸣,郝跃,王宗伟,宁静,王晓晨,查冬,李志,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅...
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