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[期刊论文] 作者：郑若成,
来源：电子与封装 年份：2004
传统的结深测试方法有:汞探针电容法、扩展电阻法、染色SEM法等,上述方法都具有相应的优点和局限性,本文介绍另外一种通过侧面结电容测试结深的方法,它可以嵌入电路中进行对...
[期刊论文] 作者：郑若成,
来源：电子与封装 年份：2006
讨论了MOS管击穿的分类,以及击穿时场强分布情况,在此基础上,列举和分析了MOS 管击穿的发生区域,主要是结击穿和漏区击穿。文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述,并对 MOS...
[期刊论文] 作者：郑若成,徐政,
来源：电子与封装 年份：2003
传统的可靠性测试是后道进行的,它是对整个电路芯片进行老炼加速实验,这种方法费时费力,并且不能为工艺提供及时的指导,因此它使新工艺的开发周期延长.随着器件尺寸不断变小,...
[期刊论文] 作者：郑若成, 陈姜,,
来源：电子与封装 年份：2010
文章对三极管版图结构和器件特性关系进行了研究,设计了5种常规的纵向NPN管结构,从电流能力和寄生电阻两方面讨论了不同结构的差异和优劣。认为单基极接触结构比双基极接触结...
[期刊论文] 作者：郑若成,刘澄淇,,
来源：电子与封装 年份：2009
静电损伤失效可能是热击穿（电流）造成的结或金属布线熔融失效，也可能是强电场（电压）诱发的介质失效，文章主要从电流热击穿方面探讨了静电触发时的ESD（Electro—Static-Discharge）保护......
[期刊论文] 作者：郑若成,顾爱军,,
来源：电子与封装 年份：2012
文章通过分析总剂量辐照机理和三极管结构总剂量辐照的瓶颈部位,比较普通和多晶发射极VNPN晶体管结构上的区别,指出多晶发射极结构具有更强的总剂量辐照能力。多晶发射极结构...
[期刊论文] 作者：戴昌梅,郑若成,,
来源：电子与封装 年份：2010
三极管测试发现，发射极和基极EB结击穿测试会降低三极管放大倍数HFE。理论表明，HFE和注入效率γ、基区输运系数ατ复合系数δ相关。文章模拟EB结击穿应力，同时设计三种测试方法...
[期刊论文] 作者：郑若成,汤赛楠,,
来源：电子与封装 年份：2012
天线结构是监控半导体工艺过程中等离子体损伤的一种典型结构，一般主要用来监控MOS器件栅氧的损伤。文中，该结构用来监控横向PNP（LPNP）管工艺过程中的发射极结损伤。实验发现，带天......
[期刊论文] 作者：王栩,郑若成,徐海铭,,
来源：电子与封装 年份：2015
对单个MTM（Metal-to-Metal）反熔丝单元的总剂量辐照效应进行了研究，模拟可编程器件实际应用环境，通过对不同尺寸、不同状态的MTM反熔丝单元在不同的偏置情况下进行总剂量辐照（总剂......
[期刊论文] 作者：徐政,缪海滨,郑若成,
来源：电子与封装 年份：2003
栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大.本文介绍了影响栅氧击穿的因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构....
[期刊论文] 作者：徐政,郑若成,何磊,
来源：电子与封装 年份：2003
栅氧前清洗是栅氧工艺的重要部分,本文介绍二种适用于亚微米/深亚微米的清洗工艺:采用稀释化学试剂和兆声波清洗的VCS清洗工艺和IMEC清洗工艺....
[期刊论文] 作者：郑若成,孙锋,吴金,,
来源：电子与封装 年份：2008
NMOS管I-V曲线在ESD（electrostatic discharges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件...
[会议论文] 作者：郑若成,孙峰,吴金,
来源：中国电子学会第十四届青年学术年会 年份：2008
NMOS管I-V曲线在ESD脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。本文通过采用SILVACO软件,对不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行......
[期刊论文] 作者：陈培仓,郑若成,徐政,,
来源：电子与封装 年份：2010
在半导体制造工业中,参数测试作为有效的对在线制品的监控手段,一方面反映了工艺线的工艺水平状况,另一方面它也是制造公司与设计公司之间进行沟通的主要依据。而对于新工艺...
[期刊论文] 作者：陈志勇,郑若成,徐政,,
来源：电子与封装 年份：2002
本文介绍了Polysilicon Buffered LOCOS(PBL)隔离工艺技术,与常规的LOCOS相比,PBL只是在氧化层和氮化硅(SiN)之间加了一层多晶,用作缓冲层.缓冲层的引入,有效地减少了鸟嘴长...
[期刊论文] 作者：郑若成,刘丽艳,徐政,
来源：电子与封装 年份：2004
在现代比较先进的Bipolar技术中，一般采用多晶发射极结构，这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性，因此，这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触......
[期刊论文] 作者：袁涛,陈炳若,郑若成,
来源：武汉大学学报(理学版) 年份：2002
实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时，开路电压Voc存在异常现象，在一定强度的光照下Voc出现峰值，随后Voc随入射光强的上升而下降。本文对这种异常现象的规律进......
[会议论文] 作者：肖志强,陆锋,郑若成,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文介绍了在无锡微电子科研中心二室工艺线上开发的3.0umBiCMOS数模电路工艺所考虑的主要因素,以及该工艺流程所用的器件结构、PCM参数,介绍了开发的各个阶段情况,以及为开...
[期刊论文] 作者：郑若成,刘国贤,肖志强,
来源：电子与封装 年份：2004
关于LATCHUP理论目前相当丰富,但是关于LATCHUP的具体测试和分析文献很少介绍.本文讨论门亚微米工艺LATCHUP测试的一个例子.门的LATCHUP测试不属于常规PCM参数测试,但是在新...
[期刊论文] 作者：袁涛,陈炳若,吴牧,郑若成,
来源：光电子技术 年份：2004
实验发现某些UV-110硅紫外增强型光伏探测器件的开路电压值随入射光强增大反而下降,在一定入射光强下出现峰值.实验和理论分析指出,这种异常光电特性的产生是由于器件中存在...
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