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[学位论文] 作者：郝宏玥,
来源：中国科学院大学 年份：2017
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[会议论文] 作者：魏思航,廖永平,郝宏玥,张宇,尚向军,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
报道了一种两段式1.08um InGaAs量子阱锁摸激光器.量子阱材料由MBE生长，可饱和吸收区和增益区经过重新设计.可饱和吸收区作为被动锁摸的关键部分，可以针对更高的功率或更短...
[会议论文] 作者：向伟,郝宏玥,王国伟,韩玺,徐应强,贺振宏,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：韩玺,郝宏玥,向伟,王国伟,徐应强,贺振宏,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
InAs/GaSbⅡ型超晶格材料具有较低的俄歇复合速率、较大的电子有效质量以及相对较长的载流子寿命,并且带隙可在较大范围内连续可调的优良特性.随着材料质量、器件结构设计、...
[期刊论文] 作者：孙姚耀, 韩玺, 吕粤希, 郭春妍, 郝宏玥, 蒋志, 蒋洞微,,
来源：航空兵器 年份：2018
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[期刊论文] 作者：蒋志, 孙姚耀, 郭春妍, 吕粤希, 郝宏玥, 蒋洞微, 王国伟,
来源：null 年份：2019
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[会议论文] 作者：廖永平,张宇,杨成奥,魏思航,郝宏玥,王国伟,徐应强,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
GaSb-based AlGaAsSb/InGaSb type-Ⅰ quantum-wells 2 μ m laser diodes(LDs)have been grown by MBE system.Stripe-type wave guide single LDs(single emitter)with...
[会议论文] 作者：蒋洞微,国风云,于清江,向伟,郝宏玥,王国伟,徐应强,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：廖永平,张宇,邢军亮,魏思航,郝宏玥,王国伟,徐应强,牛智川,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
2 /zm AlGaAsSb/InGaSb type-Ⅰ quantum-well high-power laser diodes(LDs) are grown using molecular beam epitaxy.Stripe-type waveguide single LD(single emitter) a...
[会议论文] 作者：蒋洞微,向伟,国风云,郝宏玥,王国伟,于清江,徐应强,牛智川,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
本文研究了InAs/GaSb超晶格中波、长波以及甚长波三色红外探测器.器件在GaSb (001)衬底上生长,设备采用Gen-Ⅱ分子束外延(MBE)设备.Sb2和As2是裂解炉,Ga和In由SUMO源炉提供....
[期刊论文] 作者：魏思航,马奔,陈泽升,廖永平,郝宏玥,张宇,倪海桥,牛智川,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
In this study, two-section mode-locked semiconductor lasers with different numbers of quantum wells and different types of waveguide structures are made. Their...
[期刊论文] 作者：孙姚耀,韩玺,吕粤希,郭春妍,郝宏玥,蒋志,蒋洞微,王国伟,,
来源：航空兵器 年份：2018
InAs／GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料．其有效带隙可以覆盖40-400 meV。该量子体系材料不仅具有良好的均匀性，还拥有出色的光学特...
[会议论文] 作者：廖永平,张宇,邢军亮,杨成奥,魏思航,郝宏玥,徐应强,牛智川,
来源：第十届全国激光技术与光电子学学术会议 年份：2015
使用固态源MBE 系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长,通过优化稳定生长条件,结合标准宽条形激光器制备工艺,获得了在15 ℃工作温度下83 mW 的连续光输出,注入电...
Very long wavelength infrared focal plane arrays with 50% cutoff wavelength based on type-Ⅱ In As/Ga
[期刊论文] 作者：韩玺,向伟,郝宏玥,蒋洞微,孙姚耀,王国伟,徐应强,牛智川,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
A very long wavelength infrared(VLWIR) focal plane array based on In As/Ga Sb type-Ⅱ super-lattices is demonstrated on a Ga Sb substrate. A hetero-structure ph...
[期刊论文] 作者：向伟,王国伟,徐应强,郝宏玥,蒋洞微,任正伟,贺振宏,牛智川,,
来源：航空兵器 年份：2015
由分子束外延生长的GaSb基的InAs/GaSb超晶格材料具有良好的均匀性,其在制作红外焦平面探测器方面有独特的优势。分别采用生长中断和表面迁移率增强的分子束外延法在GaSb衬底...
[会议论文] 作者：蒋洞微,韩玺,郝宏玥,孙姚耀,蒋志,吕粤希,王国伟,徐应强,牛智川,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：王国伟,牛智川,向伟,蒋洞微,韩玺,郝宏玥,任洋,徐应强,任正伟,贺振宏,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
InAs/GaSb超晶格材料具有典型的Ⅱ型能带结构,其微带带隙覆盖2μ m～30μm的整个中红外波段,且材料自身对红外探测材料中的俄歇复合具有较好的抑制作用.与HgCdTe、InSb等体材料...
[期刊论文] 作者：郝宏玥,向伟,王国伟,徐应强,任正伟,韩玺,贺振宏,廖永平,魏思航,牛智川,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
The roughness and the crystallographic orientation selectivity of etched antimonide-based infrared materials are examined and are used to optimize the chemical...
Low Crosstalk Three-Color Infrared Detector by Controlling the Minority Carriers Type of InAs/GaSb S
[期刊论文] 作者：蒋洞微,向伟,国凤云,郝宏玥,韩玺,李晓超,王国伟,徐应强,于清江,牛智川,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
We report a type-Ⅱ InAs/GaSb superlattice three-color infrared detector for mid-wave(MW),long-wave(LW),and very long-wave(VLW) detections.The detector structur...
[期刊论文] 作者：孙姚耀 韩玺 吕粤希 郭春妍 郝宏玥 蒋志 蒋洞微 王国伟 徐应强 牛智川,
来源：航空兵器 年份：2018
摘要： InAs/GaSb二类超晶格是一种通过在纳米尺寸上交替生长周期性异质结而构造的人工体材料， 其有效带隙可以覆盖40～400 meV。 该量子体系材料不仅具有良好的均匀性， 还拥有出色的光学特性， 其电子有效质量高、 光吸收系数大、 量子效率高， 已经成为第三代红外焦平面......
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