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[期刊论文] 作者：金圣雄 金原奭 柳在一 李禹奉 李贞烈,
来源：液晶与显示 年份：2006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度，在PECVD设备和干法刻蚀设备中，利用H2／SF6等离子体对SiN，薄膜表面进行处理。在制备纳......
[期刊论文] 作者：金原奭 金圣雄 崔大林 柳在一 李禹奉 李贞烈,
来源：液晶与显示 年份：2006
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题，采用低阻栅线是十分有益的，同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而，由于Al较高的氧化速度，铝合金和ITO材料接触性能并不......
[期刊论文] 作者：金雄聖,金原奭,柳在一,李禹奉,李貞烈,
来源：液晶与显示 年份：2004
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备...
[期刊论文] 作者：金聖雄,金原奭,柳在一,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制...
[期刊论文] 作者：金原奭,金聖雄,崔大林,柳在一,李禹奉,李貞烈,
来源：液晶与显示 年份：2004
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程.然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并...
[期刊论文] 作者：金原奭,金聖雄,崔大林,柳在一,李禹奉,李貞烈,,
来源：液晶与显示 年份：2006
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能...
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