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[期刊论文] 作者：李成,末益崇,长谷川文夫,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种将β-FeSi2颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip-π-n二极管来确定β-FeSi2-Si异质结的能隙差．当二极管处于正向偏置时，通过Sin-p-结注入的电子扩散到β-FeSi2并由于Si与β-...
[期刊论文] 作者：李成,末益崇,长谷川文夫,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种将 β FeSi2 颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip π n二极管来确定 β FeSi2 Si异质结的能隙差 .当二极管处于正向偏置时 ,通过Sin p-结注入的电子扩散到 β FeSi2 并...
[会议论文] 作者：李成,赖虹凯,陈松岩,末益 崇,长谷川 文夫,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器件等有发展前景的硅基材料之一.本文采用分子束外延系统在Si(100)衬底上外延生长了β-FeSi2颗粒并系统地表征了材料的结构和性质.研......
[会议论文] 作者：李成[1]赖虹凯[1]陈松岩[1]末益崇[2]长谷川文夫[2],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源、探测器、太阳能电池以及热电器件等有发展前景的硅基材料之一.本文采用分子...
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