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[期刊论文] 作者：张勇, 闫书霞,,
来源：科技创新导报 年份：2010
本文简述了农村环境污染现状及产生的原因,并有针对性的提出防治措施。...
[期刊论文] 作者：闫书霞,张维连,
来源：半导体杂志 年份：1996
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。......
[期刊论文] 作者：张维连,闫书霞,
来源：半导体杂志 年份：1996
中子嬗变掺杂直拉硅单晶在１０５０－１１００℃６ｈ退火时，体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷。光致发光在０．７６－１．０００ｅＶ范围出现了ＰＬ峰，而非中照的ＣＺＳｉ在相同条件下退火却滑以检测出明显的ＰＬ峰。......
[会议论文] 作者：张敏,闫书霞,单槟,
来源：2011年全国高等学校物理基础课程教育学术研讨会 年份：2011
简述了白光再现全息照相的原理、拍摄光路和实验方案的设计．通过大量的实验,改变多个实验参数,总结出白光再现全息照相的最佳实验方案,为高校开设白光再现全患照相实验提供可...
[期刊论文] 作者：张维连,闫书霞,冀志江,
来源：人工晶体学报 年份：1996
用光激电流法研究了Ｇｅ作为杂质掺入到Ｓｉ中可能引入的深能级，发现掺锗量小于或等于１．０ｗｔ％（重量比）时，不会在ＣＺＳｉ中引入与锗有关的深能级；锗的引入硅中点缺陷的深度。......
[期刊论文] 作者：张维连,闫书霞,孙军生,
来源：半导体杂志 年份：1996
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi...
[期刊论文] 作者：闫书霞,张维连,孙军生,
来源：半导体杂志 年份：1996
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓度的增加，峰位向低能端移动，ＰＬ峰变宽。实验也表......
[期刊论文] 作者：李廷占,张明成,李政育,闫书霞,
来源：郑州大学学报(工学版) 年份：2002
磁性联轴器是近年来发展起来的新型非接触型动力传输设备 ,它要求工作稳定可靠 ,经济耐用 ,还要求动力传输效率高 ,能损少 .对磁路进行优化设计 ,选择了圆柱形推拉式偶合系统...
[期刊论文] 作者：樊志琴,闫书霞,姚宁,鲁占灵,杨仕娥,马丙现,张兵临,
来源：发光学报 年份：2006
利用微波等离子体化学气相沉积（MWPCVD）方法，在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征，讨论了制备温度和甲烷浓度对碳纳米管膜场发射的影响。结果表明：不同......
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