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[期刊论文] 作者：陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
作为第２０届盛会，１９９８年ＩＥＥＥ砷化镓集成电路国际会议于１１月１日至４日在美国佐治亚洲首府亚特兰大市的ＷｅｓｔｉｎＰｅａｃｈｔｒｅｅＰｌａｚａＨｏｔｅｌ举行，赴会者超过３００人。正式会议共３天，除大会报告外，分１２个专题，共宣读了５６篇论文。分别涉及毫米波放大......
[期刊论文] 作者：陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
亚洲及太平洋地区国际微波会议(APMC’88)于1988年10月26日至28日在北京举行。会议主席为中国科学院电子学研究所吕保维教授。中国、印度、日本、美国、英国、联邦德国、加拿...
[期刊论文] 作者：陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
提出了微波频率下ＰＨＥＭＴ在作开关运用时一种简化的等效电路模型，其模型参数可从对实际ＰＨＥＭＴ芯片的在片微波测试方便地确定，对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行了开关性能（插入损耗......
[期刊论文] 作者：陈效建,
来源：电子学报 年份：1998
讨论了毫米波低噪声ＰＨＥＭＴ的设计要点，藕助Ｓｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒ／Ｐｏｉｓｓｏｎ方程及器件方程，进行了Ｋａ波段ＡｌＧａ／ＩｎＧａＡｓ低噪声ＰＨＥＭＴ用异质层数值计算及ＣＡＤ优化，确定出分子束外延ＭＢＥ时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的......
[期刊论文] 作者：陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
1984年固体器件与材料国际会议(1984 1CSSDM)于8月30日至9月1日在日本神户举行。会议的中心内容是有关半导体的新材料、新器件、新水平、新工艺及新原理的探讨,充分反映出半...
[期刊论文] 作者：陈效建,
来源：真空电子技术 年份：2003
半导体从一问世,就与微波技术应用建立了不解之缘。1940年第一个半导体Si检波二极管在雷达实验中获得成功,此后,微波半导体二极管逐渐成为微波应用领域的新宠。自20世纪60年...
[会议论文] 作者：陈效建,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
最近几年,全球GaAs技术制造商通过兼并、扩大,出现了许多家从事GaAsMMIC民品生产的工厂,并开始采用6英寸GaAs圆片工艺以降低成本,从而极大地推动了GaAs工艺与设计技术发展....
[会议论文] 作者：陈效建,
来源：年全国微波毫米波会议论文集 年份：2001
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[期刊论文] 作者：李辉,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
用 HP EESOF Series IV软件的负载牵引法对功率放大器进行分析 ,给出了匹配电路的基波特性及谐波特性对功率放大器性能的负载牵引结果 ,提出了功率放大器匹配电路谐波设计的...
[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ.........
[期刊论文] 作者：吴英,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直...
[期刊论文] 作者：吴英,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文对HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性进行了模拟分析.在HEMT单管特性分析中,利用了K.Park的I-V特性分析模型,通过对E/D倒相器的驱动管与负载管工作区域的划分,讨论...
[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
高电子迁移率晶体管(HEMT)在近十年的发展中,已成为微波、毫米波及高速数字领域中最重要的新型半导体器件之一,并正进入实用化与商品化.HEMI的许多优异性能与器件内部异质结...
[期刊论文] 作者：吴英,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
利用作者提出的HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性计算机分析的模型,设计并制成了HEMT DCFL门电路及环形振荡器.在电路设计中,重点讨论了E/D NEMT倒相器的电路性能与器...
[期刊论文] 作者：陈效建,吴英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
HBT由于采用了宽禁带发射区,充分利用了EB异质结能带的特点,使器件同时具有高的基区掺杂浓度和注入效率,并且,击穿电压高,势垒电容小,因而,适用于超高速数字电路.准弹道H...
[期刊论文] 作者：钱峰,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
讨论了X波段功率异质结双极晶体管(HBT)的设计,介绍了器件研制的工艺过程及测试结果.研制的器件在X波段功率输出大于5 W,功率密度达到2.5 W/mm.采用76 mm圆片工艺制作,芯片...
[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
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[期刊论文] 作者：陈效建,刘军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
报道了微波低噪声异质结赝配HEMT的研究结果。以半绝缘GaAs为衬底,用MBE方法生长异质结材料。采用低应力、低损伤工艺程序,以AuGeNi/Au形成源漏欧姆接触,Al形成栅肖特基势垒...
[会议论文] 作者：陈效建,刘军,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：汪开源,陈效建,,
来源：南京工学院学报 年份：2004
报导了用光学透射比法在外延单晶薄膜上进行InP及In_(0.53)Ga_(0.47)As材料吸收光谱测定的实验结果,对单层及双层材料样品两种情形分别讨论了透射比T(λ)与吸收系数α(λ)之...
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