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[期刊论文] 作者：陈计学,
来源：集成电路通讯 年份：2000
给出了１．５μｍ双层布线Ｎ阱ＣＭＯＳ工敢研究流程，叙述了研究中一些关键技术。...
[期刊论文] 作者：潘结斌,陈计学,姜楠,,
来源：电子与封装 年份：2016
提出一种用于泄放微波控制电路[0，5V]或[0，-5V]电压控制端口的静电／浪涌电压结构，分别给出了[0，5V]或[0，-5V]电压控制端口静电／浪涌电压泄放结构的设计方法，并对其工作原理进行了分析......
[期刊论文] 作者：朱小燕,赵娟,陈真,陈计学,
来源：集成电路通讯 年份：2015
基于传统CCD测试方法的缺点，提出了四端结构MOS管转移特性法。按照BCCD结构，在CCD晶圆的PCM测试区域设计若干四端结构MOS管图形，随芯片制造过程按CCD不同功能区域的掺杂条件进行...
[期刊论文] 作者：焦贵忠,陈计学,卜令旗,
来源：集成电路通讯 年份：2013
以一种CMOS模拟开关电路的失效分析为案例，叙述了CMOS模拟开关电路失效分析过程。通过对失效电路的测试分析，查找出失效电路的故障点，再经EMMI试验验证测试分析的正确性。建立一......
[期刊论文] 作者：汪继芳,陈计学,徐姗姗,
来源：集成电路通讯 年份：2011
介绍了双面PSD器件的结构原理及其制作技术。重点介绍了双面对准技术，解决了双面PSD器件的工艺难题，研制出了灵敏度高、线性度好的双面PSD器件，为双面PSD器件的制作提供一条工艺......
[期刊论文] 作者：曾雪来,明源,焦贵忠,陈计学,
来源：集成电路通讯 年份：2011
某型号大功率三极管广泛使用于各种电子电路中，其特点为击穿电压高，工作电流大，但饱和压降小，使得该三极管饱和压降参数的中测测试难度极大。通过对测试技术的改进，实现了大电流条......
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