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[期刊论文] 作者：周建坤,陈酉善,
来源：半导体学报 年份：1989
Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Zieg...
[期刊论文] 作者：陈酉善,柳襄怀,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
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[会议论文] 作者：王曦,陈酉善,郑志宏,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：王曦,周建坤,陈酉善,柳襄怀,邹世昌,,
来源：金属学报 年份：1991
本文建立了一个适用于描述离子束增强沉积(Ion Beam Enhanced Deposition,即IBED)过程的Monte-Carlo计算机模拟程序。程序由离子注入计算和蒸发沉积计算两大部分组成。离子注...
[期刊论文] 作者：周建坤,陈酉善,柳襄怀,杨根庆,邹世昌,
来源：半导体学报 年份：1989
Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Zieg...
[期刊论文] 作者：孙义林,张玉春,曹德福,张福民,陈酉善,
来源：微细加工技术 年份：1991
本文描述了材料表面改性或优化的新型宽束离子束混合装置。系统含有引出离子不同能量范围的三种离子源。可用于单离子注入,离子束混合,单离子或反应离子束溅射淀积以及离子束...
[期刊论文] 作者：江炳尧,张福民,孙义林,陈酉善,柳襄怀,
来源：材料研究学报 年份：1997
利用离子束增强沉积工艺，在硅基片上制备Si3N4／Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明，N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了关键作用薄膜的折射率可达1.74～1.84实验测得...
[期刊论文] 作者：周建坤,柳襄怀,陈酉善,王曦,郑志宏,黄巍,邹世昌,,
来源：金属学报 年份：1990
用电子束蒸发沉积钛和40keV氮离子束轰击交替进行的办法合成了TiN薄膜。用RBS,AES,TEM,XPS,和X射线衍射研究TiN薄膜的组分和结构表明:用离子束增强沉积制备的TiN薄膜主要由Ti...
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