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[期刊论文] 作者：陶永洪,
来源：文学少年 年份：2021
随着新课改的推进,人们对小学生核心素养的培养越来越重视,但目前小学老师在美术教学过程中,却忽略了对学生综合素质的培养,这不利于小学生们美术学科核心素养的培养。小学美术本就是培养小学生的艺术情感,让他们从小在一种美学环境中成长,培养他们的艺术细胞,......
[期刊论文] 作者：柏松,黄润华,陶永洪,刘奥,,
来源：电力电子技术 年份：2017
碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构...
[期刊论文] 作者：栗锐,黄润华,柏松,陶永洪,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×1014 cm-3,厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以...
[期刊论文] 作者：陶永洪,柏松,陈刚,李理,李赟,尹志军,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
作为测试小管芯，所研制的小栅宽（0．5mm）L波段SiCSIT器件，台面和栅凹槽线宽分别为1．0μm和1．5pm，源间距2．5μm，采用凹栅结构、Al注入形成PN结等优化手段，提高了器件的击穿特性和微波特性......
[期刊论文] 作者：杨同同,柏松,黄润华,汪玲,陶永洪,,
来源：微电子学 年份：2017
介绍了高压空间调制结终端扩展(SM-JTE)结构及其优势。结合实际的MOSFET工艺和已有的理论模型,定义了全新的4H-Si C器件TCAD仿真模型参数。首次提出了确定SM-JTE最优长度的方...
[会议论文] 作者：李理,陈刚,柏松,陶永洪,李赟,陈堂胜,
来源：2013年全国微波毫米波会议 年份：2013
本文研究了高温退火温度和退火时间对SiC SIT器件的表面形貌及P型欧姆接触电学性能的影响规律.实验中发现退火温度的提高能有效地改善器件的离子注入激活率,但退火温度越高,退火时间越长,由退火造成的SiC表面粗糙的情况就越严重.经过优化工艺条件,在1850℃退火3......
[期刊论文] 作者：杨同同, 陶永洪, 杨晓磊, 黄润华, 柏松,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2018
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[会议论文] 作者：李理,陈刚,柏松,陶永洪,李赟,尹志军,陈堂胜,
来源：2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会 年份：2012
本文研究了高温退火温度和退火时间对SiC SIT器件的表面形貌及P型欧姆接触电学性能的影响规律.实验中发现退火温度的提高能有效地改善器件的离子注入激活率,但退火温度越高,退火时间越长,由退火造成的SiC表面粗糙的情况就越严重.经过优化工艺条件,在1850℃退火3......
[期刊论文] 作者：何骏伟,陈思哲,任娜,柏松,陶永洪,刘奥,盛况,,
来源：电工技术学报 年份：2015
基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计...
[会议论文] 作者：陈思哲,何俊伟,郭清,盛况,黄润华,陶永洪,柏松,
来源：第三届特种车辆全电化技术发展论坛 年份：2014
碳化硅(SiC)功率器件是一种理想的高压大容量电力电子器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点,在新能源开发、轨道交通、电网革新以及国防装备电气化方面具有重大应用潜力.本文基于具有自主知识产权的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)和碳化硅肖特基势垒......
[期刊论文] 作者：黄润华, 陶永洪, 柏松, 陈刚, 汪玲, 刘奥, 李赟, 赵志,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
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[期刊论文] 作者：黄润华, 陶永洪, 柏松, 陈刚, 汪玲, 刘奥, 卫能, 李赟,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
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[期刊论文] 作者：黄润华, 钮应喜, 杨霏, 陶永洪, 柏松, 陈刚, 汪玲, 刘,
来源：智能电网 年份：2015
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[期刊论文] 作者：黄润华, 李理, 陶永洪, 刘奥, 陈刚, 李赟, 柏松, 栗锐,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
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[期刊论文] 作者：黄润华,陶永洪,柏松,陈刚,汪玲,刘奥,李赟,赵志飞,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端...
[期刊论文] 作者：黄润华,陶永洪,汪玲,陈刚,柏松,栗锐,李赟,赵志飞,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
The design, fabrication, and electrical characteristics of a 4H-SiC PiN diode with breakdown voltage higher than 17 kV are presented. The three-zone JTE has bee...
[期刊论文] 作者：刘涛,陈刚,黄润华,柏松,陶永洪,汪玲,刘奥,李赟,赵志飞,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm...
[期刊论文] 作者：黄润华,陶永洪,柏松,陈刚,汪玲,刘奥,卫能,李赟,赵志飞,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
设计了一种击穿电压大于1700V的SiCMOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度及厚度、有源区结构以及终端保护效率进行了优化。器件采用14μm厚、掺杂浓度为5&#...
[期刊论文] 作者：黄润华,李理,陶永洪,刘奥,陈刚,李赟,柏松,栗锐,杨立杰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅（SiC）结势垒肖特基（JBS）二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1......
[期刊论文] 作者：黄润华,陶永洪,柏松,陈刚,汪玲,刘奥,卫能,李赟,赵志飞,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。......
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