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[期刊论文] 作者：雷天民,
来源：大学物理实验 年份：1994
本文指出普物实验的初期，中期及后都应注重对学生的能力培养，分别注意基础能力，动手能力和设计能力的培养．...
[期刊论文] 作者：李彪,雷天民,
来源：电子器件 年份：2007
文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源．基于特许半导体（Chartered）0．35μm ABiCMOS工艺，采用Brokaw带隙基准电压源结构，通过一级温度补偿技术，设计得到了一种在-40℃到＋85℃的......
[期刊论文] 作者：贾蕾, 雷天民,,
来源：材料导报 年份：2018
1914年科研工作者首次合成了黑磷的块体形式。在黑磷沉寂了100年之后,2014年人们成功地将其薄化到少层状态,得到了新型二维纳米材料——二维黑磷。它是由磷原子堆叠而成的单...
[期刊论文] 作者：陆稳,雷天民,,
来源：电子科技 年份：2009
利用平面波赝势密度泛函的方法，结合广义梯度近似，对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究。对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算。文中分析了纤锌矿......
[期刊论文] 作者：陈启燊,雷天民,,
来源：电子科技 年份：2009
为了深入认识GaAs的电子结构和光学性质,计算和分析了GaAs晶体的能带结构、电子态密度、分波态密度、光学常数,所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波...
[期刊论文] 作者：马剑平,雷天民,
来源：西安公路交通大学学报 年份：2000
将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化，坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体，在石墨表面形成ＳｉＣ多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约０．５ｍｍ的ＳｉＣ体材料。用......
[期刊论文] 作者：雷天民,胡宝宏,
来源：半导体学报 年份：2000
采用ＨＦＣＶＤ技术，通过两步ＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）和Ｓｉ（１００）衬底上同时外延生长３Ｃ－ＳｉＣ获得成功，生长源气为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为２０００℃，碳化和生长时基座温度分别为９５０℃和９２０℃，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等分......
[期刊论文] 作者：雷天民,胡宝宏,
来源：西安理工大学学报 年份：1998
采用ＨＦＣＶＤ生长法，以较低生长温度，在Ｓｉ（１１１）衬底上淀积３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）薄层。用ＸＲＤ、ＶＡＳＥ、ＸＰＳ等分析手段研究了薄层的结构，光学常数，组分及化学键等性能。......
[会议论文] 作者：雷天民,马剑平,
来源：第五届全国高校光学学术与教学会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：郭心宇, 白云, 雷天民,,
来源：电工电能新技术 年份：2018
在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进...
[期刊论文] 作者：陈多金,雷天民,卢刚,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2006
采用连续离子层吸附反应（SILAR）法，分别用含有Se^2-，Bi^3＋和Sb^3＋的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液，以载玻片为衬底，在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄......
[期刊论文] 作者：马剑平,雷天民,等,
来源：半导体学报 年份：2001
论述了从硅熔体中生长3C－SiC晶体过程中6H－SiC晶型控制的一般原理，采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化。坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体，在石墨......
[期刊论文] 作者：王旸,雷天民,张智,,
来源：电子科技 年份：2010
提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOIMESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模...
[期刊论文] 作者：吕惠民,雷天民,吴民强,
来源：半导体技术 年份：2001
在讨论了压力传感器非线性输出误差分布规律的基础上，提出了非线性拟合方法，介绍了误差修正即拟合因子中三个基本参量(A，ω，φ)的取值方法。通过对两个压力传感器实际输出数据的......
[期刊论文] 作者：刘德福,雷天民,马卓,,
来源：电子科技 年份：2010
针对WIMAX系统中变长子载波的特点，通过采用流水线乒乓结构，以基2、基4混合基实现了高速可配置的FFT/IFFT。将不同点数的FFT旋转因子统一存储，同时对RAM单元进行优化，节约了存储...
[期刊论文] 作者：宋立勋,雷天民,袁梦雪,,
来源：西安工程科技学院学报 年份：2006
以水热法制备纳米Fe3O4为例，用二次正交旋转回归设计法获得试验方案的指标值，并建立多元回归方程和二次规划数学模型，求解这一数学模型．实验证明，此方法工作量较小，优化数学模型的......
[期刊论文] 作者：马剑平,雷天民,卢刚,封先锋,
来源：西安公路交通大学学报 年份：2000
将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成 Si C多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0...
[期刊论文] 作者：张小平,雷天民,杨松,陈仁生,
来源：微电子学与计算机 年份：2003
随着商业微电子器件抗辐射能力的提高，使得对专用集成电路(ASIC)从设计上进行抗辐射加固成为可能。本文介绍了CMOS器件的抗电离辐射的主要加同设计方法，认为在商业工艺上可以获......
[期刊论文] 作者：吕惠民,雷天民,刘满仓,彭雅明,
来源：西安理工大学学报 年份：2002
论述了温度对压力传感器输出灵敏度的影响 ,为了减小传感器输出的温度漂移 ,采用双惠斯登电桥方法 ,在 3 0 0～ 3 73 K的温度范围内对传感器进行测试 ,结果表明传感器输出的温度漂移可以降低 70 %以上。......
[期刊论文] 作者：陈多金，雷天民，卢刚，ChenDuojin，LeiTianmin，LuGang,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2006
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