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[学位论文] 作者：靳翀,,
来源： 年份：2009
随着计算机的出现,尤其是PC(个人电脑)的大规模使用与普及,信息技术对信息的生产、传递和处理都带来了革命性的影响,特别是互联网的迅速普及使用,更是改变了整个世界的信息传...
[学位论文] 作者：靳翀,
来源：电子科技大学 年份：2006
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[期刊论文] 作者：耿靳翀,
来源：农村青少年科学探究 年份：2019
凤凰展翅,逐梦蓝天。在新中国成立70周年之际,北京大兴国际机场投运仪式于2019年9月25日上午在北京举行。号称世界新七大奇迹之首的北京大兴国际机场拥有世界上最大的单体航站楼,超过了迪拜世界中心和土耳其伊斯坦布尔第三国际机场,它挑战了机场航站楼隔震支座......
[期刊论文] 作者：龙飞,杜江锋,罗谦,靳翀,杨谟华,,
来源：电子器件 年份：2007
源于AlGaN／GaNHEMT器件的大量测试分析发现，栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47％；随着信号频率的改变，漏极电流按脚μnCur[α＋（0. 13＋0. 64f）VGS ＋ （0. 13＋0. 32 f）VGS^2]（VGS-Vth）^2......
[期刊论文] 作者：赵子奇,杜江峰,罗谦,靳翀,杨谟华,
来源：微纳电子技术 年份：2006
针对GaN HEMT电流崩塌物理效应，测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23．8％，且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降，并且获得了其输出电流与......
[期刊论文] 作者：杜江锋,赵波,罗谦,于奇,靳翀,李竞春,
来源：电子元件与材料 年份：2004
基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为7×1016cm-3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成.样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃...
[期刊论文] 作者：卢盛辉,杜江锋,靳翀,周伟,杨谟华,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
通过对AlGaN／GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试，发现栅脉冲相同时，HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加，而在饱和区随VDS增加而减小；在VDS一定时，器件开启时间随栅脉冲低电......
[会议论文] 作者：杜江锋,赵金霞,伍捷,杨月寒,靳翀,
来源：2007'信息与通信工程、电子科学与技术、计算机科学与技术、机械工程全国博士生学术论坛 年份：2007
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。该模型指出,当场板长度L与绝缘层厚度t最优时,GaN HEMT栅极边缘电...
[期刊论文] 作者：罗大为,卢盛辉,罗谦,杜江锋,靳翀,严地,,
来源：微纳电子技术 年份：2007
利用数值模拟仿真对GaN MESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究。结果表明，在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高，当栅脉冲电压为-18V时可达6223K，并且电子温...
[期刊论文] 作者：周飞跃,杜江锋,于奇,靳翀,罗谦,杨谟华,
来源：半导体光电 年份：2006
在求解一维电流连续性方程和传输方程的同时考虑表面态陷阱的作用，获得了GaN基MSM结构紫外探测器在稳态光照下的电流随电压变化的解析解，从而导出了其光响应特性主要参数，并解释......
[会议论文] 作者：于志伟;周伟;罗谦;杜江峰;靳翀;夏建新;,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会 年份：2007
本文对不同浓度的n-GaN样品表面氧化层去除前后的肖特基接触的电学特性做了对比研究,通过对I-V,C-V特性的测量分析,量化了界面氧化层的存在对肖特基接触的电学性质的影响。实...
[期刊论文] 作者：龙飞,杜江锋,罗谦,靳翀,周伟,夏建新,杨谟华,
来源：微电子学 年份：2005
基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点.大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当...
[期刊论文] 作者：罗谦,杜江锋,靳翀,龙飞,周伟,夏建新,杨谟华,,
来源：微电子学 年份：2006
基于特制的无台面AlGaN／GaN HEMT，设计了一种实验方法，用以研究AlGaN／GaN外延表面陷阱态间的电荷输运过程。经实验证实，在器件电流崩塌效应中，存在表面陷阱电荷输运，并确定了相关时......
[期刊论文] 作者：罗谦,杜江锋,罗大为,朱磊,龙飞,靳翀,周伟,杨谟华,
来源：半导体技术 年份：2006
设计了一种实验方法用以研究AlGaN／GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响，该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN／GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲...
[期刊论文] 作者：严地,罗谦,卢盛辉,靳翀,罗大为,周伟,杨谟华,,
来源：半导体技术 年份：2007
通过计算沟道电场的分布，研究了受主陷阱对AlGaN／GaN HEMT器件击穿特性的影响。研究发现，有受主陷阱的条件下，漏端出现电场峰值，栅端电场峰值被大幅度削减。当Vg=0V，Vd=60V，受主陷阱......
[期刊论文] 作者：杜江锋,赵金霞,伍捷,杨月寒,武鹏,靳翀,陈卫,
来源：电子科技大学学报 年份：2008
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程，导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。当场板长度LFP与绝缘层厚度tox最优时，GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降...
[期刊论文] 作者：靳翀,卢盛辉,杜江锋,罗谦,周伟,夏建新,杨谟华,
来源：微纳电子技术 年份：2006
基于实验测试数据，综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌Ⅰ-Ⅴ曲线变化差异。研究表明：在脉冲测试条件下，RS增大，栅下沟道开启程度减弱，漏电流如变小；RD增大，栅下沟道漏端等......
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