【摘 要】
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设计了一种实验方法用以研究AlGaN／GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响，该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN／GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲
【机 构】
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电子科技大学微电子学与固体电子学学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（60076007）
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设计了一种实验方法用以研究AlGaN／GaN外延表面陷阱充电效应对于薄膜电阻的影响，该效应与GaN基HEMT电流崩塌现象直接相关。测量获得了AlGaN／GaN异质结结构薄膜电阻在周期栅脉冲信号下的变化规律。薄膜电阻在低频区域对脉冲频率十分敏感，而在高频时出现饱和。当信号频率足够高时（≥4kHz），AlGaN／GaN簿膜将呈现高阻，器件关断，说明二维电子气已被表面陷阱电荷耗尽。该实验为研究表面陷阱与电流崩塌效应的关系提供了新的证据。
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