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[期刊论文] 作者：韦亚一,
来源：电子科学学刊 年份：1992
本文用Monte Carlo方法对电子在MCP单通道中传输,碰撞和次级发射的整个过程进行了模拟。给出了MCP中次级电子能量分布表达式。计算了MCP中单通道电子倍增的有关参数,并对比实...
[期刊论文] 作者：韦亚一,
来源：电子科学学刊 年份：1992
本文应用X光电子能谱仪(XPS)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了经烧氢还原后铅硅酸盐玻璃(该玻璃就是微通道板次级电子发射层材料)中各元素浓度随深度的分布;还应用电子探针(EP)研...
[期刊论文] 作者：韦亚一,
来源：计算物理 年份：1992
次级电子发射是各种电子探测器和电子倍增器的工作基础。原初电子在次级发射体中激发次级电子的过程具有复杂性和随机性。过去的工作大多局限于定性描述和半定量估算,本工作...
[期刊论文] 作者：韦亚一,
来源：中国信息化 年份：2021
光刻是集成电路制造的核心技术,光刻工艺成本已经超出集成电路制造总成本的三分之一.在集成电路制造的诸多工艺单元中,只有光刻工艺可以在硅片上产生图形,从而完成器件和电路...
[期刊论文] 作者：郑国,韦亚一,
来源：半导体学报 年份：1995
在０．３－４．２Ｋ温度范围，测量了ｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．１９５）在磁量子极限后的横向磁阻，纵向磁阻和霍尔系数，观察到了磁致金属－绝缘体相变和相变发生前的霍尔系数下凹“Ｈｑａｌｌｄｉｐ”。基于电子在浅施主杂质上磁冻结的模型，讨论了磁致......
[期刊论文] 作者：韦亚一,郑国珍,
来源：物理 年份：1994
介绍了纳米硅膜的ＰＥＣＶＤ生长方法，样品的结构特征和结构参数的测量方法，根据现有的实验数据，讨论了给米硅样品的电学性质和光学性质，简要评述了内米硅研究的方向和进一步所要做的工作。......
[期刊论文] 作者：韦亚一, 陶兆民,,
来源：红外技术 年份：1994
本文根据铅硅玻璃次级电子产额公式，计算了对应于不同入射能量的原初电子进入微通道板的最佳入射倾斜角。指出不同材料制作的微通道板（不同的微通道板皮玻璃料方），工作在不同的条......
[期刊论文] 作者：陶兆民,韦亚一,,
来源：光电子技术 年份：1992
本文根据作者已有的实验数据和在前人工作的基础上,分析了导致微通道板经电子轰击后增益大幅度下降的原因.并据此对照国外同类产品剖析了目前国内微通道板生产中影响增益的几...
[期刊论文] 作者：邓金祥,韦亚一,
来源：电子科学学刊 年份：1992
本文计算了天然放射性同位素产生的MCP噪声(以A/cm~2表示)。计算结果给出:Rb~(87)产生的噪声最大,K~(40)次之;最小为La~(138)和V~(50)。这表明:某些应用领域要求低噪声或超低...
[期刊论文] 作者：韦亚一,陶兆民,
来源：电子科学学刊 年份：1993
本文从理论上分析了ＭＣＰ对输出信号信噪比的影响，推导了噪声因子的表达式，作了相应的数值计算。根据计算结果指出了降低ＭＣＰ噪声因子有效途径。...
[期刊论文] 作者：韦亚一,郑国珍,等,
来源：半导体学报 年份：1995
本文在多次实验中选择的低补偿度n-Hg1-xCdxTe样品上测量了0－10mT弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应。初步讨论了样品尺寸、...
[期刊论文] 作者：韦亚一,陶兆民,
来源：应用光学 年份：1992
从理论上分析MCP自饱和效应产生的原因,以及自饱和效应对MCP工作性能的影响,提出克服自饱和效应的办法。...
[期刊论文] 作者：韦亚一,陶兆民,
来源：真空科学与技术 年份：1991
本文应用XPS研究微通道板次级电子发射层中各元素浓度随深度的分布,以及不同烧氢还原温度对此分布的影响,并讨论了不同烧氢还原温度对次级电子发射性能的影响,在此基础上提出...
[期刊论文] 作者：何宇亮,韦亚一,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
使用超高真空ＰＥＣＶＤ薄膜沉积系统制备的纳米硅薄膜（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）具有高电导特性为了探讨其导电机制，先使用Ｋ．Ｙｏｓｈｉｄａ早期提出的两相无序结构有效电导模型分别对晶粒电导和界面电导进行了理论计算，指出，ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中高......
[期刊论文] 作者：韦亚一,陶兆民,,
来源：光电子技术 年份：1992
本文从理论上提出了一种高增益 MCP 的设想,即在现有的 MCP 通道内壁蒸镀上一层对本工作区域比较敏感的材料,使 MCP 的发射层与电子补充层从几何位置上分开。为了实现这一结...
[会议论文] 作者：何宇亮,韦亚一,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：1994
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[期刊论文] 作者：韦亚一,陶兆民,
来源：红外技术 年份：1993
本文分析了微通道板(MCP)在烘烤和电子轰击下大量放气的机理,结合有关实验数据给出了放气成分及放气量的相对大小。指出:放出的这些气体不仅对光阴极有毒害,而且对MCP自身的...
[期刊论文] 作者：韦亚一,郑国珍,何宇亮,
来源：功能材料 年份：1994
使用ＰＥＣＶＤ方法生长了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜，Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ光谱和电镜观测表明样品具备了纳米结构特征。测量了样品在７７Ｋ～４００Ｋ温度范围的电导率，并使用二相随机分布有效介质理论，计算了ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中晶粒部分和晶界部分的电导......
[期刊论文] 作者：明瑞锋, 韦亚一, 董立松,,
来源：光学学报 年份：2004
13.5nm波长的极紫外(EUV)光刻机作为最有潜力的下一代光刻设备,较传统193浸没式光刻机,虽然分辨率大大提高,但因波长减小使得设备对像差的容忍度降低,有必要研究像差对EUV光...
[报纸论文] 作者：施伟杰, 韦亚一, 周玉梅,,
来源： 年份：2004
1.引言$$2019年底最新版的《瓦森纳安排》(Wassenaar Arrange-ment)军民两用技术清单中,将原2018年版的“用于开发将掩模图形转移到半导体基底上的光刻、刻蚀或沉积等工艺的...
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