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[期刊论文] 作者：张印,李海松,韩本光,,
来源：电子设计工程 年份：2017
本文针对高速LVDS接收器电路,研究设计了一种高速、单位增益带宽1.46 GHz的CMOS运放。充分考虑LVDS的电气特点,采用了高速运放电路结构,基于0.13μm 1.2 V/3.3 V CMOS工艺,进...
[期刊论文] 作者：曹天骄,吴龙胜,李海松,韩本光,,
来源：微电子学与计算机 年份：2017
针对延迟锁相环的结构和对单粒子效应敏感性的分析,提出了一种具有锁定检测结构的新型抗SET加固DLL结构,该结构能在满足原有DLL性能指标的前提下实现对SET效应的加固,保证DLL...
[期刊论文] 作者：闻超,韩本光,汪西虎,郭仲杰,,
来源：微电子学与计算机 年份：2016
传统CMOS图像传感器4T-APS像素电路中源跟随器阈值电压随源极电压发生变化，导致源跟随器输入输出电压之间有较大的非线性，严重影响传感器的成像质量．提出了一种像素电路线性化技......
[期刊论文] 作者：韩本光,曹琛,吴龙胜,刘佑宝,,
来源：北京理工大学学报 年份：2013
通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路，设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路，该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力．为了证实其抗单粒子能力，基于SIMC......
[期刊论文] 作者：李闯泽,韩本光,何杰,吴龙胜,
来源：西北工业大学学报 年份：2020
针对宇航超大面阵(15k×15k)CMOS图像传感器中读出链路后级对串行数据接口高速、高精度、低功耗以及驱动大容性负载的需求,提出了一种基于沟道长度分割的方法和预加重技...
[期刊论文] 作者：李闯泽,韩本光,何杰,吴龙胜,,
来源：武汉大学学报(理学版) 年份：2020
为解决空间辐射环境引起的列并行单斜式模拟数字转换器(analog to digital converter,ADC)中斜坡信号范围不能动态校正的问题,提出一种用于CMOS(complementary metal oxide semiconductor,互补金属氧化物半导体)图像传感器的高精度抗辐射自适应斜坡产生电路设计......
[期刊论文] 作者：方勇,吴龙胜,韩本光,陈超,唐威,,
来源：现代电子技术 年份：2010
介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35 μm SOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构。基于BSIM SOI...
[期刊论文] 作者：韩本光,郭仲杰,吴龙胜,刘佑宝,,
来源：半导体学报 年份：2012
A radiation-hardened-by-design phase-locked loop(PLL) with a frequency range of 200 to 1000 MHz is proposed.By presenting a novel charge compensation circuit,co...
[期刊论文] 作者：陈超,吴龙胜,韩本光,方勇,刘佑宝,,
来源：半导体技术 年份：2010
研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P^＋保护环结构及不同器件间距下，处于截止态的N...
[期刊论文] 作者：韩本光,吴龙胜,陈超,方勇,刘佑宝,,
来源：科学技术与工程 年份：2009
为了提高SOI器件抗总剂量能力，采用了倒掺杂结构。研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强，介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用。发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗...
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